LM317LCDR
|
|
Версия для печати
| Корпус | 8-SOIC |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | 0°C ~ 125°C |
| Ток минимальный предел тока | 100mA |
| Ток выходной | 100mA (Max) |
| Число регуляторов | 1 |
| Напряжение входное | 3.7 V ~ 38 V |
| Напряжение выходное | 1.2 V ~ 32 V |
| Топология регулятора | Positive Adjustable |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HSMS-2825-BLKG | AVAGO |
|
|
|||||
| HSMS-2825-BLKG | Avago Technologies US Inc |
|
|
|||||
| HSMS-2825-BLKG | 4 |
|
||||||
| HSMS-2825-BLKG | BRO/AVAG |
|
|
|||||
| HSMS-2825-BLKG | BROADCOM/AVAGO |
|
|
|||||
| HSMS-2825-BLKG | BROADCOM |
|
|
|||||
| LM293DR2G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| LM293DR2G | ONS |
|
|
|||||
| LM293DR2G |
|
13.20 | ||||||
| LM293DR2G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| LM293DR2G | 4-7 НЕДЕЛЬ | 624 |
|
|||||
| MMBZ15VALT1G | NXP |
|
|
|||||
| MMBZ15VALT1G | ON Semiconductor |
|
|
|||||
| MMBZ15VALT1G | ON SEMICONDUCTOR | 2 892 |
|
|||||
| MMBZ15VALT1G | 165 | 10.08 | ||||||
| MMBZ15VALT1G | ONS |
|
|
|||||
| MMBZ15VALT1G | YOUTAI | 7 874 | 2.31 | |||||
| SMBJ28A-E3/52 | VISHAY |
|
|
|||||
| SMBJ28A-E3/52 | GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| SMBJ28A-E3/52 | GENERAL SEMICONDUCTOR | 113 |
|
|||||
| SMBJ28A-E3/52 | Vishay/General Semiconductor |
|
|
|||||
| SMBJ28A-E3/52 |
|
|
||||||
| SS14 T/R | YJ |
|
|
|||||
| SS14 T/R | MIC | 20 396 | 2.03 | |||||
| SS14 T/R |
|
|
