LM317LCDR
|
|
Версия для печати
| Корпус | 8-SOIC |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | 0°C ~ 125°C |
| Ток минимальный предел тока | 100mA |
| Ток выходной | 100mA (Max) |
| Число регуляторов | 1 |
| Напряжение входное | 3.7 V ~ 38 V |
| Напряжение выходное | 1.2 V ~ 32 V |
| Топология регулятора | Positive Adjustable |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 74HC595D.118 |
|
8Bit Shift Reg/Outp Latch | NXP |
|
|
|||
| 74HC595D.118 |
|
8Bit Shift Reg/Outp Latch | NEX-NXP | 24 | 12.93 | |||
| 74HC595D.118 |
|
8Bit Shift Reg/Outp Latch | 2 000 | 8.51 | ||||
| 74HC595D.118 |
|
8Bit Shift Reg/Outp Latch | 4-7 НЕДЕЛЬ | 688 |
|
|||
 |
 |
BPW 34 |
|
PIN фотодиод 50мкA, прозрачный 130° | OSRAM |
|
|
|
|
|
|
BPW 34 |
|
PIN фотодиод 50мкA, прозрачный 130° |
|
|
||
| LM293DR2G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| LM293DR2G | ONS |
|
|
|||||
| LM293DR2G |
|
13.20 | ||||||
| LM293DR2G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| LM293DR2G | 4-7 НЕДЕЛЬ | 624 |
|
|||||
 |
SDR0805-471KL |
|
Индуктивность 470мкГн SMD 7,8x5,3mm | BOURNS | 1 424 | 48.33 | ||
|
|
SDR0805-471KL |
|
Индуктивность 470мкГн SMD 7,8x5,3mm |
|
209.20 | |||
| SS14 T/R | YJ |
|
|
|||||
| SS14 T/R | MIC | 17 052 | 1.11 | |||||
| SS14 T/R |
|
|
