| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
CNY17-2 |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA
|
VISHAY
|
7
|
25.44
|
|
|
|
CNY17-2 |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
CNY17-2 |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
CNY17-2 |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
CNY17-2 |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA
|
VISHAY
|
1 920
|
|
|
|
|
CNY17-2 |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA
|
LIT
|
5 257
|
7.11
|
|
|
|
CNY17-2 |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA
|
|
18
|
56.70
|
|
|
|
CNY17-2 |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA
|
LITE-ON
|
|
|
|
|
|
CNY17-2 |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA
|
LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
|
9
|
|
|
|
|
CNY17-2 |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA
|
MOTOROLA
|
171
|
25.44
|
|
|
|
CNY17-2 |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA
|
EVERLIGHT
|
1 320
|
25.44
|
|
|
|
CNY17-2 |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA
|
FAIRCHILD
|
35
|
25.44
|
|
|
|
CNY17-2 |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA
|
1
|
|
|
|
|
|
CNY17-2 |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA
|
TOSHIBA
|
8
|
25.44
|
|
|
|
CNY17-2 |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA
|
1600
|
|
|
|
|
|
CNY17-2 |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA
|
36
|
|
|
|
|
|
HFA25TB60S |
|
UFAST диод 25А 600В
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
HFA25TB60S |
|
UFAST диод 25А 600В
|
|
|
236.76
|
|
|
|
HFA25TB60S |
|
UFAST диод 25А 600В
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
HFA25TB60S |
|
UFAST диод 25А 600В
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRG4PF50WD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRG4PF50WD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz)
|
|
|
468.40
|
|
|
|
IRG4PF50WD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz)
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRG4PF50WD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
TEA1532AP/N1.112 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
К553УД2 |
|
Операционный усилитель средней точности Uсм=7.5 мВ, Iвх= 1.5 мкА
|
|
3 923
|
30.24
|
|
|
|
К553УД2 |
|
Операционный усилитель средней точности Uсм=7.5 мВ, Iвх= 1.5 мкА
|
РИГА
|
393
|
16.96
|
|
|
|
К553УД2 |
|
Операционный усилитель средней точности Uсм=7.5 мВ, Iвх= 1.5 мкА
|
АЛЬФА РИГА
|
|
|
|
|
|
К553УД2 |
|
Операционный усилитель средней точности Uсм=7.5 мВ, Iвх= 1.5 мкА
|
ГРАВИТОН
|
|
|
|
|
|
К553УД2 |
|
Операционный усилитель средней точности Uсм=7.5 мВ, Iвх= 1.5 мкА
|
RUS
|
|
|
|