| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | QFET™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185 mOhm @ 4.7A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 9.4A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 550pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Корпус | I-Pak |
| Product Change Notification | Lead Dimension Change 23/Jan/2007 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт
|
SANYO
|
4
|
143.64
|
|
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт
|
|
1
|
127.26
|
|
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт
|
SAN
|
|
|
|
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт
|
ISC
|
1 184
|
27.30
|
|
|
|
|
STP7NK80ZFP |
|
Транзистор 800В, 5,2А, 125Вт, ТО-223, Rds On (Max) 1.8 Ohm
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 176
|
93.07
|
|
|
|
|
STP7NK80ZFP |
|
Транзистор 800В, 5,2А, 125Вт, ТО-223, Rds On (Max) 1.8 Ohm
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
STP7NK80ZFP |
|
Транзистор 800В, 5,2А, 125Вт, ТО-223, Rds On (Max) 1.8 Ohm
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
STP7NK80ZFP |
|
Транзистор 800В, 5,2А, 125Вт, ТО-223, Rds On (Max) 1.8 Ohm
|
|
882
|
62.12
|
|
|
|
|
STP7NK80ZFP |
|
Транзистор 800В, 5,2А, 125Вт, ТО-223, Rds On (Max) 1.8 Ohm
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
60
|
|
|
|
|
|
TL494 DIP-16 |
|
Контроллер для AC-DC
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
TL494 DIP-16 |
|
Контроллер для AC-DC
|
|
|
|
|
|
|
|
TL494 DIP-16 |
|
Контроллер для AC-DC
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
285
|
|
|
|
|
|
TSAL6200 |
|
Инфракрасный диод d=5мм, 940нм, 60мВт
|
|
|
28.00
|
|
|
|
|
TSAL6200 |
|
Инфракрасный диод d=5мм, 940нм, 60мВт
|
VISHAY
|
12 059
|
6.20
|
|
|
|
|
TSAL6200 |
|
Инфракрасный диод d=5мм, 940нм, 60мВт
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
|
КТ209Б |
|
|
|
3 452
|
9.25
|
|
|
|
|
КТ209Б |
|
|
КРЕМНИЙ
|
826
|
12.47
|
|
|
|
|
КТ209Б |
|
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ209Б |
|
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
|
КТ209Б |
|
|
БРЯНСК
|
3 650
|
2.10
|
|
|
|
|
КТ209Б |
|
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ209Б |
|
|
ПЛАНЕТА
|
|
|
|
|
|
|
КТ209Б |
|
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ209Б |
|
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
|
КТ209Б |
|
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
527
|
4.60
|
|
Версия для печати
