FQU11P06TU
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | QFET™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185 mOhm @ 4.7A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 9.4A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 550pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Корпус | I-Pak |
| Product Change Notification | Lead Dimension Change 23/Jan/2007 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт | SANYO | 4 | 160.06 | |
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт | 1 | 127.26 | ||
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт | SAN |
|
|
|
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт | ISCSEMI |
|
|
|
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт | ISC |
|
|
|
| HER605 (6A 400В) |
|
|
||||||
 |
JF0825S2H |
|
Вентилятор 24В, 80х80х25мм |
|
344.00 | |||
|
|
JF0825S2H |
|
Вентилятор 24В, 80х80х25мм | JAMICON |
|
|
||
|
|
JF0825S2H |
|
Вентилятор 24В, 80х80х25мм | JAM |
|
|
||
 |
MAX756CSA-T | MAXIM |
|
|
||||
|
|
MAX756CSA-T |
|
|
|||||
 |
NCP3063DR2G |
|
|
|||||
|
|
NCP3063DR2G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
NCP3063DR2G | ONS |
|
|
||||
|
|
NCP3063DR2G | ON SEMIC |
|
|
||||
|
|
NCP3063DR2G |
|
|
|||||
|
|
NCP3063DR2G | ON SEMICONDUCTO |
|
|
||||
|
|
NCP3063DR2G | 4-7 НЕДЕЛЬ | 280 |
|
