| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | QFET™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185 mOhm @ 4.7A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 9.4A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 550pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Корпус | I-Pak |
| Product Change Notification | Lead Dimension Change 23/Jan/2007 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт
|
SANYO
|
4
|
160.06
|
|
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт
|
|
1
|
127.26
|
|
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт
|
SAN
|
|
|
|
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт
|
ISC
|
|
|
|
|
|
|
ATTINY13-20PU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (1K ISP Flash, 64 bytes EEPROM, 64 bytes SRAM, ...
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
|
ATTINY13-20PU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (1K ISP Flash, 64 bytes EEPROM, 64 bytes SRAM, ...
|
|
|
92.52
|
|
|
|
|
ATTINY13-20PU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (1K ISP Flash, 64 bytes EEPROM, 64 bytes SRAM, ...
|
США
|
|
|
|
|
|
|
ATTINY13-20PU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (1K ISP Flash, 64 bytes EEPROM, 64 bytes SRAM, ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
ATTINY13-20PU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (1K ISP Flash, 64 bytes EEPROM, 64 bytes SRAM, ...
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
ATTINY13-20PU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (1K ISP Flash, 64 bytes EEPROM, 64 bytes SRAM, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
769
|
|
|
|
|
|
MCP6004-I/ST |
|
Операционный усилитель
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
MCP6004-I/ST |
|
Операционный усилитель
|
|
1
|
96.36
|
|
|
|
|
MCP6004-I/ST |
|
Операционный усилитель
|
MICRO CHIP
|
116
|
|
|
|
|
|
MCP6004-I/ST |
|
Операционный усилитель
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
MCP6004-I/ST |
|
Операционный усилитель
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
MCP6004-I/ST |
|
Операционный усилитель
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
MCP6004-I/ST |
|
Операционный усилитель
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
481
|
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
|
4 645
|
4.42
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
КРЕМНИЙ
|
2 452
|
10.48
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
МИНСК
|
11 649
|
12.72
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
14852
|
|
|
|
|
|
|
КУ202Г |
|
Тиристор кремниевый, планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n, триодный, незапираемый
|
|
45
|
30.24
|
|
|
|
|
КУ202Г |
|
Тиристор кремниевый, планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n, триодный, незапираемый
|
СТАРТ
|
|
|
|
|
|
|
КУ202Г |
|
Тиристор кремниевый, планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n, триодный, незапираемый
|
СЗТП
|
8
|
106.19
|
|
|
|
|
КУ202Г |
|
Тиристор кремниевый, планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n, триодный, незапираемый
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
|
КУ202Г |
|
Тиристор кремниевый, планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n, триодный, незапираемый
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
Версия для печати
