IRF2805

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF2805	1	367.92

Версия для печати

Технические характеристики IRF2805

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Корпус	TO-262
Корпус (размер)	TO-262-3 (Straight Leads)
Тип монтажа	Выводной
Power - Max	200W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	5110pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	230nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	135A
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.7 mOhm @ 104A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF2805L (Дискретные сигналы)

HEXFETand#174; Power MOSFET

Также в этом файле: IRF2805S

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRF2805 datasheet
224.83Kb
11стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2200МКФ 35В (16X32, АКС)	Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 35В	CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS
2200МКФ 35В (16X32, АКС)	Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 35В			92.00
22МКФ 35В (6.3Х5)	Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 35В	CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS
22МКФ 35В (6.3Х5)	Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 35В			14.40
MAC-1 Д/С 160Х100 ММ МАКЕТНАЯ ПЛАТА				820.00
W10M ДИОДНЫЙ МОСТ 1.5A 1000V		DC COMPONENTS	35	12.60
W10M ДИОДНЫЙ МОСТ 1.5A 1000V			11 400	12.60
W10M ДИОДНЫЙ МОСТ 1.5A 1000V		MIC	1 978	12.60
W10M ДИОДНЫЙ МОСТ 1.5A 1000V		TY
W10M ДИОДНЫЙ МОСТ 1.5A 1000V		BL	1	12.60
W10M ДИОДНЫЙ МОСТ 1.5A 1000V		MCC	20	12.60
W10M ДИОДНЫЙ МОСТ 1.5A 1000V		SEMICJNDUCTOR	71	12.60
КОНДЕНСАТОРК50-17-400МКФ 300В