SG5841JSZ
|
|
Версия для печати
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Рабочая температура | -20°C ~ 85°C |
| Isolated | Да |
| Cuk | Нет |
| Divider | Нет |
| Doubler | Нет |
| Inverting | Нет |
| Flyback | Да |
| Buck | Нет |
| Boost | Нет |
| Напряжение питания | 10 V ~ 24.7 V |
| Duty Cycle | 70% |
| Частота -макс. | 68kHz |
| Число выходов | 1 |
| PWM Type | Current Mode |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DB107S ДИОДНЫЙ МОСТ | DC COMPONENTS | 65 258 | 8.48 | |||||
| DB107S ДИОДНЫЙ МОСТ |
|
|
||||||
| DB107S ДИОДНЫЙ МОСТ | YJ |
|
|
|||||
| DB107S ДИОДНЫЙ МОСТ | YJ ELECTRONIC | 106 951 | 4.24 | |||||
| DB107S ДИОДНЫЙ МОСТ | MIC | 640 | 6.36 | |||||
 |
 |
FQPF13N50C |
|
500v n-channel mosfet | FAIR |
|
|
|
|
|
|
FQPF13N50C |
|
500v n-channel mosfet |
|
583.20 | ||
|
|
|
FQPF13N50C |
|
500v n-channel mosfet | FAIRCHILD |
|
|
|
|
|
|
FQPF13N50C |
|
500v n-channel mosfet | FAIRCHILD |
|
|
|
|
|
|
FQPF13N50C |
|
500v n-channel mosfet | Fairchild Semiconductor |
|
|
|
|
|
|
FQPF13N50C |
|
500v n-channel mosfet | FSC1 |
|
|
|
|
|
|
FQPF13N50C |
|
500v n-channel mosfet | FSC |
|
|
|
| KBL10 ДИОДНЫЙ МОСТ 4A 1000V | DC COMPONENTS |
|
|
|||||
| KBL10 ДИОДНЫЙ МОСТ 4A 1000V |
|
|
||||||
| KBL10 ДИОДНЫЙ МОСТ 4A 1000V | DS |
|
|
|||||
| KBL10 ДИОДНЫЙ МОСТ 4A 1000V | JS |
|
|
|||||
| KBL10 ДИОДНЫЙ МОСТ 4A 1000V | YJ |
|
|
|||||
| L6562DTR | ST MICROELECTRONICS | 45 | 57.56 | |||||
| L6562DTR | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|||||
| L6562DTR | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| L6562DTR | 540 | 29.82 | ||||||
| L6562DTR | STMICROELECTR |
|
|
|||||
| L6562DTR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 496 |
|
|||||
| ФЭУ-60 |
|
23 572.00 | ||||||
| ФЭУ-60 | МЕЛЗ |
|
|
