FQPF8N80C

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
FQPF8N80C (ONS)	40	190.07

Версия для печати

Технические характеристики FQPF8N80C

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	QFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.55 Ohm @ 4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	8A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	45nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2050pF @ 25V
Power - Max	59W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3 Full Pack
Корпус	TO-220F
Product Change Notification	Design/Process Change Notification 26/June/2007

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQPF8N80C (MOSFET)

800V N-Channel MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FQPF8N80C datasheet
1.3 Мб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
EL817(C)		EVLT
EL817(C)
EL817(C)		EVERLIGH
EL817(C)		EVERLIGHT
EL817(C)		4-7 НЕДЕЛЬ	204
IRF7204PBF	Сдвоенные N-канальный с упр. логич. уровнем Vси = 20 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = 5.2A	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF7204PBF	Сдвоенные N-канальный с упр. логич. уровнем Vси = 20 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = 5.2A	INTERNATIONAL RECTIFIER	126
IRF7204PBF	Сдвоенные N-канальный с упр. логич. уровнем Vси = 20 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = 5.2A		6	74.00
IRF7204PBF	Сдвоенные N-канальный с упр. логич. уровнем Vси = 20 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = 5.2A	INFINEON
KNP100JR-73-0R39		Yageo
LB1838M-TRM-E		SANYO
LB1838M-TRM-E		SANYO SEMICONDUCTOR
LB1838M-TRM-E		SANYO SEMICONDUCTOR CORPORATIO
LB1838M-TRM-E		ONS	184	134.67
LB1838M-TRM-E
LB1838M-TRM-E		4-7 НЕДЕЛЬ	168
SQP500JB-200R		Yageo	10 629	9.53
SQP500JB-200R