FQPF8N80C

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
FQPF8N80C (ONS)	8	187.74

Версия для печати

Технические характеристики FQPF8N80C

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	QFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.55 Ohm @ 4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	8A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	45nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2050pF @ 25V
Power - Max	59W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3 Full Pack
Корпус	TO-220F
Product Change Notification	Design/Process Change Notification 26/June/2007

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQPF8N80C (MOSFET)

800V N-Channel MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FQPF8N80C datasheet
1.3 Мб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
FAN7602CM		Fairchild Semiconductor
FAN7602CM		FAIRCHILD
FAN7602CM		FSC1
FAN7602CM			4	162.54
FAN7602CM		FSC
FAN7602CM		ONS
FAN7602CM		FAIRCHILD
FAN7602CM		1
FAN7602CM		4-7 НЕДЕЛЬ	512
IRF7204PBF	Сдвоенные N-канальный с упр. логич. уровнем Vси = 20 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = 5.2A	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF7204PBF	Сдвоенные N-канальный с упр. логич. уровнем Vси = 20 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = 5.2A	INTERNATIONAL RECTIFIER	126
IRF7204PBF	Сдвоенные N-канальный с упр. логич. уровнем Vси = 20 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = 5.2A		6	74.00
IRF7204PBF	Сдвоенные N-канальный с упр. логич. уровнем Vси = 20 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = 5.2A	INFINEON
IRLL2705PBF	Полевой транзистор N-канальный 55V 3,8A 2,1W 0,04R	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRLL2705PBF	Полевой транзистор N-канальный 55V 3,8A 2,1W 0,04R	INTERNATIONAL RECTIFIER	26
IRLL2705PBF	Полевой транзистор N-канальный 55V 3,8A 2,1W 0,04R	INFINEON
IRLL2705PBF	Полевой транзистор N-канальный 55V 3,8A 2,1W 0,04R
KNP100JR-73-0R39		Yageo
SQP500JB-0R39		Yageo	614	18.88