| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
BV 202 0157 |
|
|
HAHN
|
|
|
|
|
|
|
BV 202 0157 |
|
|
|
|
|
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
|
4 908
|
102.29
|
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
MAX
|
|
|
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
Maxim Integrated Products
|
|
|
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
MAX/DALL
|
|
|
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
MAXIM INTEGR
|
|
|
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
YOUTAI
|
26 686
|
62.66
|
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
UMW
|
4 411
|
58.89
|
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
MSKSEMI
|
14 993
|
42.59
|
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
741
|
|
|
|
|
STW10NK60Z |
|
N-channel 650 v, 0.65 ?, 10 a, supermesh™ power mosfet zener-protected to-247
|
ST MICROELECTRONICS
|
160
|
175.64
|
|
|
|
STW10NK60Z |
|
N-channel 650 v, 0.65 ?, 10 a, supermesh™ power mosfet zener-protected to-247
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STW10NK60Z |
|
N-channel 650 v, 0.65 ?, 10 a, supermesh™ power mosfet zener-protected to-247
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
STW10NK60Z |
|
N-channel 650 v, 0.65 ?, 10 a, supermesh™ power mosfet zener-protected to-247
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STW10NK60Z |
|
N-channel 650 v, 0.65 ?, 10 a, supermesh™ power mosfet zener-protected to-247
|
|
|
|
|
|
|
STW12NK80Z |
|
N-MOS 800V, 10.5A, 190W
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STW12NK80Z |
|
N-MOS 800V, 10.5A, 190W
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STW12NK80Z |
|
N-MOS 800V, 10.5A, 190W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
STW12NK80Z |
|
N-MOS 800V, 10.5A, 190W
|
|
|
|
|
|
|
TDA7386 |
|
Усилитель низкой частоты 4x28W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x45W, Gv=26dB
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TDA7386 |
|
Усилитель низкой частоты 4x28W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x45W, Gv=26dB
|
|
|
470.48
|
|
|
|
TDA7386 |
|
Усилитель низкой частоты 4x28W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x45W, Gv=26dB
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
TDA7386 |
|
Усилитель низкой частоты 4x28W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x45W, Gv=26dB
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
TDA7386 |
|
Усилитель низкой частоты 4x28W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x45W, Gv=26dB
|
ST1
|
|
|
|
|
|
TDA7386 |
|
Усилитель низкой частоты 4x28W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x45W, Gv=26dB
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
441
|
|
|