|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | QFET™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.55 Ohm @ 4A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 8A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 45nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2050pF @ 25V |
| Power - Max | 59W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 Full Pack |
| Корпус | TO-220F |
| Product Change Notification | Design/Process Change Notification 26/June/2007 |
|
FQPF8N80C (MOSFET) 800V N-Channel MOSFET
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EL817(C) | EVLT |
|
|
|||||
| EL817(C) |
|
|
||||||
| EL817(C) | EVERLIGH |
|
|
|||||
| EL817(C) | EVERLIGHT |
|
|
|||||
| EL817(C) | 4-7 НЕДЕЛЬ | 762 |
|
|||||
|
|
IRF7204PBF |
|
Сдвоенные N-канальный с упр. логич. уровнем Vси = 20 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = 5.2A | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
||
|
|
IRF7204PBF |
|
Сдвоенные N-канальный с упр. логич. уровнем Vси = 20 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = 5.2A | INTERNATIONAL RECTIFIER | 126 |
|
||
|
|
IRF7204PBF |
|
Сдвоенные N-канальный с упр. логич. уровнем Vси = 20 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = 5.2A | 6 | 74.00 | |||
|
|
IRF7204PBF |
|
Сдвоенные N-канальный с упр. логич. уровнем Vси = 20 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = 5.2A | INFINEON |
|
|
||
|
|
|
KNP100JR-73-0R39 |
|
Yageo |
|
|
||
| LB1838M-TRM-E | SANYO |
|
|
|||||
| LB1838M-TRM-E | SANYO SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| LB1838M-TRM-E | SANYO SEMICONDUCTOR CORPORATIO |
|
|
|||||
| LB1838M-TRM-E | ONS |
|
|
|||||
| LB1838M-TRM-E |
|
|
||||||
| LB1838M-TRM-E | 4-7 НЕДЕЛЬ | 196 |
|
|||||
|
|
|
SQP500JB-200R |
|
Yageo | 3 358 | 8.95 | ||
|
|
|
SQP500JB-200R |
|
|
|