Версия для печати
Технические характеристики FQPF8N80C

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	QFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.55 Ohm @ 4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	8A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	45nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2050pF @ 25V
Power - Max	59W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3 Full Pack
Корпус	TO-220F
Product Change Notification	Design/Process Change Notification 26/June/2007

FQPF8N80C (MOSFET) 800V N-Channel MOSFET Производитель: Fairchild Semiconductor FQPF8N80C datasheet 1.3 Мб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)		34 560	1.26  >100 шт.   0.63
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	FAIR
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	NXP
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	PHILIPS
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	DC COMPONENTS	37 496	1.50
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	DIOTEC
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	FAIRCHILD
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	DI
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	FAIRCHILD
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	NXP	36 964
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	PHILIPS
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	ONS
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	PHILIPS SEMIC
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	КИТАЙ
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	DIODES
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	HOTTECH	29 806	1.03
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	KLS
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	SUNTAN	717	1.04  >100 шт.   0.52
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	YJ	222 633	2.07
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	XSEMI	25 337	1.06  >100 шт.   0.53
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	YANGZHOU YANGJIE
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	KEEN SIDE	9 808	1.46  >100 шт.   0.73
		FQPF13N50C		500v n-channel mosfet	FAIR
		FQPF13N50C		500v n-channel mosfet			583.20
		FQPF13N50C		500v n-channel mosfet	FAIRCHILD
		FQPF13N50C		500v n-channel mosfet	FAIRCHILD
		FQPF13N50C		500v n-channel mosfet	Fairchild Semiconductor
		FQPF13N50C		500v n-channel mosfet	FSC1
		FQPF13N50C		500v n-channel mosfet	FSC
		HT1621B			HOLTEK	2 304	42.02
		HT1621B				3	55.50
		HT1621B			HOLT
		HT1621B			США
		HT1621B			СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		HT1621B			HOLTEK	24
		HT1621B			1
		HT1621B			4-7 НЕДЕЛЬ	649
		L6562DTR			ST MICROELECTRONICS	45	58.21
		L6562DTR			ST MICROELECTRONICS SEMI
		L6562DTR			STMicroelectronics
		L6562DTR				540	29.82
		L6562DTR			STMICROELECTR
		L6562DTR			4-7 НЕДЕЛЬ	496
		SY8113ADC
		SY8113ADC			SILERGY
		SY8113ADC			4-7 НЕДЕЛЬ	628

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"