IRLR3717
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 15A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 120A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.45V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 31nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2830pF @ 10V |
| Power - Max | 89W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRLR3717 (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SJ598 |
|
P-MOS 60V, 12A, 23W | NEC |
|
|
|||
| 2SJ598 |
|
P-MOS 60V, 12A, 23W |
|
127.60 | ||||
| 3И306Г | 1 709 | 28.35 | ||||||
| 3И306Г | СТАРТ | 880 | 31.50 | |||||
| 3И306Г | 1 709 | 28.35 | ||||||
| 3И306Г | NO TRADEMARK |
|
|
|||||
| 3И306Ж | 1 639 | 32.13 | ||||||
| 3И306Ж | СТАРТ | 1 895 | 16.80 | |||||
| FDN5618P | FAIR |
|
|
|||||
| FDN5618P | FSC |
|
|
|||||
| FDN5618P | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| FDN5618P | FAIRCHILD | 24 |
|
|||||
| FDN5618P | Fairchild Semiconductor |
|
|
|||||
| FDN5618P | 7 040 | 8.42 | ||||||
| FDN5618P | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
|||||
| FDN5618P | ONS |
|
|
|||||
| FDN5618P | ONS-FAIR |
|
|
|||||
| FDN5618P | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| NTD20P06LT4G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| NTD20P06LT4G | ONS |
|
|
|||||
| NTD20P06LT4G |
|
|
||||||
| NTD20P06LT4G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| NTD20P06LT4G | ON SEMICONDUCTO |
|
|
