Версия для печати
Технические характеристики LM239AN

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Тип	General Purpose
Число элементов	4
Тип выхода	CMOS, DTL, ECL, MOS, Open-Collector, TTL
Напряжение питания	2 V ~ 36 V, ±1 V ~ 18 V
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	14-DIP (0.300", 7.62mm)
Корпус	14-DIP
Output Type	CMOS, DTL, ECL, MOS, Open-Collector, TTL

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Обработка сигналов

 » 

Компараторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	FAIR
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	NXP	2 513	2.12
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	PHILIPS
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	SIEMENS
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	DIC
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	DC COMPONENTS	24 206	1.55
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	DIOTEC	35 158	1.97
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	FAIRCHILD
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	GALAXY
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	FAIRCHILD
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	NXP	337
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	OTHER	1 165
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	PHILIPS	552
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	SIEMENS
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	Fairchild Semiconductor
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	КИТАЙ
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	INFINEON TECH
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	MCC
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)			3.00
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	INFINEON
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	INFINEON	59
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	ONS-FAIR	1 439	1.12
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	NEXPERIA	2 164	2.12
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD	268	1.66
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	GALAXY ME
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	LRC
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	HOTTECH	79 730	1.29  >500 шт.   0.43
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	KLS
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	WUXI XUYANG
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	0.00
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	YJ	218 282	1.44  >500 шт.   0.48
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	JSCJ	165 435	1.67
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	SUNTAN	216	1.08
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	KEEN SIDE	57 068	1.23  >500 шт.   0.41
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	2705
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	200
		C8051F410-GQR			SILAB
		C8051F410-GQR			SLAB
		C8051F410-GQR				187	326.66
		C8051F410-GQR			SILICON LABS
		C8051F410-GQR			SILICON LABS
		C8051F410-GQR			4-7 НЕДЕЛЬ	310
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А		40 600	3.20
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	КИТАЙ
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	HOTTECH	200 011	2.52
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INFINEON
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	HUASHUO	17 875	4.97
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	KLS
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	YOUTAI	156	1.99
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	UMW	3 760	3.10
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	SUNTAN	21 577	4.90
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	KEEN SIDE	11 316	2.17
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	2386
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	KEXIN	7 200	2.75
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	RUME	91 200	3.09
		MIC5205-3.3YM5 TR		LDO 1 кан, Uвх=2,5:16 В, Uвых=3,3 В, Iвых=150 мА, Udrop=165 мВ,-40:+125 °С точность ...	MICREL
		MIC5205-3.3YM5 TR		LDO 1 кан, Uвх=2,5:16 В, Uвых=3,3 В, Iвых=150 мА, Udrop=165 мВ,-40:+125 °С точность ...	Micrel Inc
		MIC5205-3.3YM5 TR		LDO 1 кан, Uвх=2,5:16 В, Uвых=3,3 В, Iвых=150 мА, Udrop=165 мВ,-40:+125 °С точность ...	MCH/MCRL
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...		1 222	12.88
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	КРЕМНИЙ	800	12.49
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	СВЕТЛАНА
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	МИНСК
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	БРЯНСК	625	12.72
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	НАЛЬЧИК
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	РИГА
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	RUS
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	1512

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"