Версия для печати
Технические характеристики ADR441ARZ

Корпус	8-SOIC
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Ток выходной	10mA
Ток в рабочей точке(ВАХ)	3.75mA
Количество каналов	1
Напряжение входное	3 V ~ 18 V
Температурный коэфициент	10ppm/°C
Допустимые отклонения емкости	±0.12%
Напряжение выходное	2.5V
Reference Type	Series, Precision
Серия	XFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Tolerance	±0.12%

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Опорные источники

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		AD8554ARZ		4 Операционный усилитель CMOS с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 ...	ANALOG DEVICES
		AD8554ARZ		4 Операционный усилитель CMOS с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 ...	ANALOG
		AD8554ARZ		4 Операционный усилитель CMOS с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 ...	Analog Devices Inc
		AD8554ARZ		4 Операционный усилитель CMOS с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 ...	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		AD8554ARZ		4 Операционный усилитель CMOS с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 ...	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		AD8554ARZ		4 Операционный усилитель CMOS с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 ...
		AD8554ARZ		4 Операционный усилитель CMOS с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 ...	4-7 НЕДЕЛЬ	240
		ADG704BRMZ		MUX 4х1, 2.5 Ом, 200 МГц mSOIC10, -40°C- +85°C, PB free	ANALOG DEVICES
		ADG704BRMZ		MUX 4х1, 2.5 Ом, 200 МГц mSOIC10, -40°C- +85°C, PB free	ANALOG
		ADG704BRMZ		MUX 4х1, 2.5 Ом, 200 МГц mSOIC10, -40°C- +85°C, PB free			288.00
		ADG704BRMZ		MUX 4х1, 2.5 Ом, 200 МГц mSOIC10, -40°C- +85°C, PB free	Analog Devices Inc
		ADG704BRMZ		MUX 4х1, 2.5 Ом, 200 МГц mSOIC10, -40°C- +85°C, PB free	ANALOG DEVICES	12
		ADG704BRMZ		MUX 4х1, 2.5 Ом, 200 МГц mSOIC10, -40°C- +85°C, PB free	4-7 НЕДЕЛЬ	747
		FM25CL64-GTR		Память FRAM, 8Кбайт, SPI (режимы 0 и 3) до 20 МГц, неогр.кол-во циклов, ...	RAMTRON
		FM25CL64-GTR		Память FRAM, 8Кбайт, SPI (режимы 0 и 3) до 20 МГц, неогр.кол-во циклов, ...		2	272.00
		FM25CL64-GTR		Память FRAM, 8Кбайт, SPI (режимы 0 и 3) до 20 МГц, неогр.кол-во циклов, ...	RAMTRON INTERNATIONAL CORP
		FM25CL64-GTR		Память FRAM, 8Кбайт, SPI (режимы 0 и 3) до 20 МГц, неогр.кол-во циклов, ...	4-7 НЕДЕЛЬ	521
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А		40 600	2.92
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	КИТАЙ
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	HOTTECH	302 897	2.56
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INFINEON
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	HUASHUO	13 074	8.02
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	KLS
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	YOUTAI	8	4.07
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	UMW	40	3.10
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	SUNTAN	19 861	5.13
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	KEEN SIDE	8 892	2.14
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	2386
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	KEXIN	7 200	2.78
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	RUME	91 200	3.12
		SI9410DY			FAIR
		SI9410DY			PHILIPS
		SI9410DY			SILICONIX
		SI9410DY					92.00
		SI9410DY			VISHAY
		SI9410DY			FAIRCHILD
		SI9410DY			FAIRCHILD	296
		SI9410DY			PHILIPS
		SI9410DY			SILICONIX	1

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"