| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
DC COMPONENTS
|
9 310
|
2.77
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
|
9 513
|
1.75
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
FAIRCHILD
|
8
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
MOTOROLA
|
1 757
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
ON SEMICONDUCTOR
|
7 769
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
OTHER
|
92
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
TAK CHEONG ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
KLS
|
4 000
|
1.44
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
KEEN SIDE
|
19 124
|
1.19
|
|
|
|
2SD882 |
|
Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц
|
NEC
|
|
|
|
|
|
2SD882 |
|
Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц
|
DC COMPONENTS
|
5 374
|
9.91
|
|
|
|
2SD882 |
|
Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц
|
|
5 564
|
8.53
|
|
|
|
2SD882 |
|
Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц
|
MATSUSHITA
|
|
|
|
|
|
2SD882 |
|
Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2SD882 |
|
Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2SD882 |
|
Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2SD882 |
|
Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
|
SS9014C |
|
|
ПЛАНЕТА
|
|
|
|
|
|
|
SS9014C |
|
|
|
33 496
|
3.15
|
|
|
|
|
SS9014C |
|
|
Џ‹ЂЌ…’Ђ
|
|
|
|
|
|
|
SS9014C |
|
|
|
33 496
|
3.15
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
|
493
|
12.88
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
КРЕМНИЙ
|
537
|
10.96
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
БРЯНСК
|
5 332
|
13.02
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ3107В |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
|
|
4.60
|
|
|
|
КТ3107В |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
10.58
|
|
|
|
КТ3107В |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
КТ3107В |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
3 732
|
4.20
|
|
|
|
КТ3107В |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
БРЯНСК
|
116
|
4.20
|
|
|
|
КТ3107В |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
МИНСК
|
8 707
|
4.20
|
|
|
|
КТ3107В |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
РИГА
|
240
|
4.20
|
|
|
|
КТ3107В |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ3107В |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3107В |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ3107В |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
ТРАНЗИСТОР
|
620
|
3.39
|
|