STP8NK100Z

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
STP8NK100Z		557.60

Версия для печати

Технические характеристики STP8NK100Z

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	SuperMESH™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.85 Ohm @ 3.15A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	6.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	102nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2180pF @ 25V
Power - Max	160W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STP8NK100Z (MOSFET)

N-CHANNEL 1000V - 1.60? - 6.5A - TO-220 Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STP8NK100Z datasheet
294.7 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1N4001 T/B	Выпрямительный диод 50В, 1А	DC COMPONENTS	11 266	1.76
1N4001 T/B	Выпрямительный диод 50В, 1А
CLA50E1200HB		IXYS
CLA50E1200HB			240	183.07
DEBF33A472ZA2B	Конденсатор керамический дисковый радальный 4.7пФ, 1000В, +8/-20%	Murata Electronics North America
DEBF33A472ZA2B	Конденсатор керамический дисковый радальный 4.7пФ, 1000В, +8/-20%	MUR
DEBF33A472ZA2B	Конденсатор керамический дисковый радальный 4.7пФ, 1000В, +8/-20%
DEBF33A472ZA2B	Конденсатор керамический дисковый радальный 4.7пФ, 1000В, +8/-20%	MURATA
MCT5211		QT OPTOELECTRONICS
MCT5211		FAIR
MCT5211			1	504.00
MCT5211		FAIRCHILD	80	94.48
MCT5211		FAIRCHILD
MCT5211		QT OPTOELECTRONICS	72
MCT5211		Fairchild Optoelectronics Group
MCT5211		4-7 НЕДЕЛЬ	28
ОПЛЕТКА С ФЛЮСОМ ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ПРИПОЯ 2.7		ERSA
ОПЛЕТКА С ФЛЮСОМ ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ПРИПОЯ 2.7				576.00
ОПЛЕТКА С ФЛЮСОМ ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ПРИПОЯ 2.7		ШВЕЙЦАРИЯ