B32652A0103J000
Пленочный конденсатор 0.01 мкФ 1 кВ
|
|
Версия для печати
| Производитель | EPCOS (SIEMENS MATSUSHITA COMP.) |
| Допуск емкости | ±5% |
| Номинальное постоянное напряжение | 1 кВ |
| Номинальное переменное напряжение | 250 В |
| Диэлектрик | Polypropylene |
| Номинальное напряжение | 1 кВ |
| Размер | 18.0x5.0x10.5 |
| Шаг выводов | 15 |
| Рабочая температура | -55...100 °C |
| Metallized Polypropylene Film Capacitors (MKP | |
| Емкость | 0.01 мкФ |
| Серия | B32652 |
| Корпус (размер) | PIN |
| Тип монтажа | Выводной |
| Тип | Пленочный |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - AC | 250V |
| Voltage - DC | 1000V (1kV) |
| Dielectric Material | Polypropylene, Metallized |
| Допустимые отклонения емкости | ±5% |
| Tolerance | ±5% |
| Рабочая температура | -55°C ~ 110°C |
| Size / Dimension | 0.709" L x 0.197" W (18.00mm x 5.00mm) |
| Высота | 0.413" (10.50mm) |
| Termination | PC Pins |
| Lead Spacing | 0.591" (15.00mm) |
| Возможности | AC and Pulse |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BDP949H6327 | INFINEON |
|
|
|||||
| BDP949H6327 |
|
|
||||||
| ES3D-E3/57T | VISHAY | 51 | 30.64 | |||||
| ES3D-E3/57T | GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| ES3D-E3/57T | GENERAL SEMICONDUCTOR | 787 |
|
|||||
| ES3D-E3/57T | Vishay/General Semiconductor |
|
|
|||||
| ES3D-E3/57T |
|
|
||||||
| IR21531STRPBF | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IR21531STRPBF | INFINEON | 4 472 | 100.22 | |||||
| IR21531STRPBF | 1 888 | 92.47 | ||||||
 |
 |
IRFB4321PBF |
|
Транзистор N-канальный MOSFET 150V 83A | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFB4321PBF |
|
Транзистор N-канальный MOSFET 150V 83A | INTERNATIONAL RECTIFIER | 32 |
|
|
|
|
|
IRFB4321PBF |
|
Транзистор N-канальный MOSFET 150V 83A | INFINEON | 8 | 174.24 | |
|
|
|
IRFB4321PBF |
|
Транзистор N-канальный MOSFET 150V 83A |
|
|
||
| MUR1620CTG |
|
Диод 200V, 2x8A, 35nS (Ultrafast) | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| MUR1620CTG |
|
Диод 200V, 2x8A, 35nS (Ultrafast) | 213 | 64.75 | ||||
| MUR1620CTG |
|
Диод 200V, 2x8A, 35nS (Ultrafast) | ONS |
|
|
|||
| MUR1620CTG |
|
Диод 200V, 2x8A, 35nS (Ultrafast) | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| MUR1620CTG |
|
Диод 200V, 2x8A, 35nS (Ultrafast) | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||
| MUR1620CTG |
|
Диод 200V, 2x8A, 35nS (Ultrafast) | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
