| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
| Frequency - Transition | 5GHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 2.1dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz |
| Power - Max | 300mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 65 @ 15mA, 10V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 25mA |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | TO-236AB |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
 |
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LESHAN RADIO COMPANY
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
1
|
1.37
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
3 614
|
2.00
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LESHAN RADIO COMPANY, LTD
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
11 847
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMI
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FUXIN
|
164 140
|
2.37
|
|
|
|
|
BC857S |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BC857S |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BC857S |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BC857S |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
BC857S |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
BC857S |
|
|
JSCJ
|
40 125
|
1.12
|
|
 |
|
HCPL4504-000E |
|
Фототранзистор 1канал, 1.7В, ток выхода 8мА
|
AVAGO
|
|
|
|
|
|
|
HCPL4504-000E |
|
Фототранзистор 1канал, 1.7В, ток выхода 8мА
|
BRO/AVAG
|
|
|
|
|
|
|
HCPL4504-000E |
|
Фототранзистор 1канал, 1.7В, ток выхода 8мА
|
|
2
|
325.08
|
|
|
|
|
VS-10ETF12-M3 |
|
|
VISHAY
|
804
|
142.88
|
|
|
|
|
VS-10ETF12-M3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
КТ399АМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный с ...
|
|
|
38.20
|
|
|
|
|
КТ399АМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный с ...
|
СВЕТЛАНА
|
266
|
41.38
|
|
|
|
|
КТ399АМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный с ...
|
RUS
|
|
|
|
Версия для печати
