| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
B43458A9338M |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 3300 мкФ 400 В
|
EPCOS
|
|
|
|
|
|
|
B43458A9338M |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 3300 мкФ 400 В
|
|
|
|
|
|
|
|
B43458A9338M |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 3300 мкФ 400 В
|
EPCS
|
|
|
|
|
|
|
B43458A9338M |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 3300 мкФ 400 В
|
TDK EPCOS
|
|
|
|
|
|
|
B43458A9338M |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 3300 мкФ 400 В
|
TDK-EPC
|
|
|
|
|
|
MOC3083M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MOC3083M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
MOC3083M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...
|
Fairchild Optoelectronics Group
|
|
|
|
|
|
MOC3083M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
MOC3083M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...
|
ГОНКОНГ
|
|
|
|
|
|
MOC3083M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MOC3083M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...
|
ONS
|
4
|
60.32
|
|
|
|
MOC3083M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
MOC3083M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...
|
|
1 776
|
40.66
|
|
|
|
MOC3083M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MOC3083M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...
|
0.00
|
|
|
|
|
|
MOC3083M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...
|
YOUTAI
|
8 731
|
12.03
|
|
|
|
MOC3083M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...
|
UMW
|
|
|
|
|
|
MOC3083M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
SGP15N120 |
|
IGBT транзистор 1200В, 30А, 198Вт
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
SGP15N120 |
|
IGBT транзистор 1200В, 30А, 198Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
SGP15N120 |
|
IGBT транзистор 1200В, 30А, 198Вт
|
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ16A |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ16A |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ16A |
|
|
DC COMPONENTS
|
6 376
|
5.07
|
|
|
|
|
SMBJ16A |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ16A |
|
|
|
8 800
|
3.09
|
|
|
|
|
SMBJ16A |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ16A |
|
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ16A |
|
|
Littelfuse Inc
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ16A |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ16A |
|
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ16A |
|
|
YJ
|
12 101
|
2.61
|
|
|
|
|
SMBJ16A |
|
|
LTL
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ16A |
|
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ16A |
|
|
TSC
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ16A |
|
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ16A |
|
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ16A |
|
|
BRIGHTKING
|
3 660
|
4.06
|
|
|
|
|
SMBJ16A |
|
|
JJM
|
4 112
|
4.37
|
|
|
|
|
SMBJ16A |
|
|
HOTTECH
|
944
|
2.91
|
|
|
|
|
SMBJ16A |
|
|
SUNTAN
|
1 056
|
3.00
|
|
|
|
|
SMBJ16A |
|
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
417
|
33.12
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
32.79
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
БРЯНСК
|
2 041
|
38.16
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
2159
|
|
|
|