STW9N150

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
STW9N150	65	288.62
STW9N150	65	288.62
STW9N150 (ST MICROELECTRONICS SEMI.)	1 200	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики STW9N150

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	PowerMESH™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 Ohm @ 4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1500V (1.5kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	8A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	89.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3255pF @ 25V
Power - Max	320W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STW9N150 (MOSFET)

N-channel 1500 V - 1.8 ? - 8 A - TO-247 very high voltage PowerMESH™ Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STW9N150 datasheet
256.3 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1.5KE350ARL	Диод TVS однонаправленный выводы радиальные 1500Вт, 350в	STMicroelectronics
1.5KE350ARL	Диод TVS однонаправленный выводы радиальные 1500Вт, 350в	КИТАЙ
1.5KE350ARL	Диод TVS однонаправленный выводы радиальные 1500Вт, 350в	ST MICROELECTRONICS
74HC123RM13TR (M74HC123RM13TR)		ST MICROELECTRONICS	5 916	14.70
74HC123RM13TR (M74HC123RM13TR)
B64290L45X87		TDK EPCOS
B64290L45X87		EPCOS
B64290L45X87
B64290L45X87		TDK-EPC
PMD2412PMB1-A.[2].GN		SUNON	333	1 369.88
PMD2412PMB1-A.[2].GN				3 960.00
SIHG20N50C-E3		Vishay/Siliconix
SIHG20N50C-E3		VISHAY
SIHG20N50C-E3			384	126.32