|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1.5KE440A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт, 440в
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
1.5KE440A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт, 440в
|
EIC
|
|
|
|
|
|
1.5KE440A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт, 440в
|
ST MICROELECTRONICS
|
768
|
31.22
|
|
|
|
1.5KE440A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт, 440в
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1.5KE440A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт, 440в
|
|
|
43.32
|
|
|
|
1.5KE440A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт, 440в
|
SMK
|
|
|
|
|
|
1.5KE440A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт, 440в
|
SEMICRON
|
868
|
|
|
|
|
1.5KE440A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт, 440в
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1.5KE440A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт, 440в
|
DC COMPONENTS
|
2 620
|
19.93
|
|
|
|
1.5KE440A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт, 440в
|
Littelfuse Inc
|
|
|
|
|
|
1.5KE440A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт, 440в
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
1.5KE440A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт, 440в
|
КИТАЙ
|
52
|
28.35
|
|
|
|
1.5KE440A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт, 440в
|
LITTELFUSE
|
|
|
|
|
|
1.5KE440A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт, 440в
|
LTL
|
|
|
|
|
|
1.5KE440A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт, 440в
|
BRIGHTKING
|
|
|
|
|
|
1.5KE440A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт, 440в
|
SOURIAU
|
|
|
|
|
|
1.5KE440A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт, 440в
|
JJM
|
152
|
25.24
|
|
|
|
1.5KE440A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт, 440в
|
HOTTECH
|
2 749
|
31.80
|
|
|
|
1.5KE440A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт, 440в
|
1
|
|
|
|
|
|
B013 МЕТАЛЛИЧ. |
|
|
GAINTA
|
|
|
|
|
|
B013 МЕТАЛЛИЧ. |
|
|
|
|
|
|
|
|
B013MF |
|
|
GAINTA
|
568
|
658.78
|
|
|
|
B013MF |
|
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LESHAN RADIO COMPANY
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
19 724
|
3.41
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
3 614
|
2.24
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LESHAN RADIO COMPANY, LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
11 847
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMI
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FUXIN
|
21 952
|
1.58
>100 шт. 0.79
|
|
|
|
STW9N150 |
|
N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet
|
ST MICROELECTRONICS
|
140
|
353.27
|
|
|
|
STW9N150 |
|
N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STW9N150 |
|
N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet
|
|
144
|
283.82
|
|
|
|
STW9N150 |
|
N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet
|
|
144
|
283.82
|
|
|
|
STW9N150 |
|
N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
STW9N150 |
|
N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
1 200
|
|
|