BFR92A,215


Купить BFR92A,215 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
BFR92A,215 TRANS NPN 25MA 15V 5GHZ SOT23 TRANS NPN 25MA 15V 5GHZ SOT23
Версия для печати

Технические характеристики BFR92A,215

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Transistor TypeNPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)15V
Frequency - Transition5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)2.1dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
Power - Max300mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce65 @ 15mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max)25mA
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
КорпусTO-236AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


BFR92A,215 datasheet

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   LESHAN RADIO COMPANY Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   ONS 22 244 3.41 
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)     3 614 2.24 
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   LESHAN RADIO COMPANY, LTD Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   ON SEMICONDUCTOR 11 847 цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   ON SEMICONDUCTO Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   ONSEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   LRC Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   ONSEMI Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   FUXIN 24 170 1.60 
>100 шт.   0.80 
  BC857S     FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BC857S     FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BC857S     FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BC857S     Fairchild Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BC857S       Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BC857S     JSCJ 40 632 2.15 
HCPL4504-000E Фототранзистор 1канал, 1.7В, ток выхода 8мА   AVAGO Заказ радиодеталей цена радиодетали
HCPL4504-000E Фототранзистор 1канал, 1.7В, ток выхода 8мА   BRO/AVAG Заказ радиодеталей цена радиодетали
HCPL4504-000E Фототранзистор 1канал, 1.7В, ток выхода 8мА     2 325.08 
    VS-10ETF12-M3     VISHAY 1 896 140.65 
    VS-10ETF12-M3       Заказ радиодеталей цена радиодетали
  КТ399АМ Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный с ...     Заказ радиодеталей 38.20 
  КТ399АМ Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный с ...   СВЕТЛАНА 80 32.13 
  КТ399АМ Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный с ...   RUS Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход