STW9N150

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
STW9N150	116	288.62
STW9N150	116	288.62
STW9N150 (ST MICROELECTRONICS SEMI.)	1 200	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики STW9N150

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	PowerMESH™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 Ohm @ 4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1500V (1.5kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	8A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	89.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3255pF @ 25V
Power - Max	320W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STW9N150 (MOSFET)

N-channel 1500 V - 1.8 ? - 8 A - TO-247 very high voltage PowerMESH™ Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STW9N150 datasheet
256.3 Кб