Версия для печати
Технические характеристики STW9N150

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	PowerMESH™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 Ohm @ 4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1500V (1.5kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	8A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	89.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3255pF @ 25V
Power - Max	320W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247-3

STW9N150 (MOSFET) N-channel 1500 V - 1.8 ? - 8 A - TO-247 very high voltage PowerMESH™ Power MOSFET Производитель: STMicroelectronics STW9N150 datasheet 256.3 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2РМГД24Б10Ш5Е2		Вилка блочная 2РМГД24 без кожуха, 10 контактов, никель, теплостойкость 200 гр.		276	2 896.11
		2РМГД24Б10Ш5Е2		Вилка блочная 2РМГД24 без кожуха, 10 контактов, никель, теплостойкость 200 гр.	ИЗОБИЛЬНЫЙ ПО ЭЛЬБРУС
		2РМГД24Б10Ш5Е2		Вилка блочная 2РМГД24 без кожуха, 10 контактов, никель, теплостойкость 200 гр.	ИЗОБИЛЬНЫЙ
		2РМГД24Б10Ш5Е2		Вилка блочная 2РМГД24 без кожуха, 10 контактов, никель, теплостойкость 200 гр.	RUS
		2РМГД24Б10Ш5Е2		Вилка блочная 2РМГД24 без кожуха, 10 контактов, никель, теплостойкость 200 гр.	ЭЛЕКТРОСОЕДИНИТЕЛЬ
		2РМГД24Б10Ш5Е2		Вилка блочная 2РМГД24 без кожуха, 10 контактов, никель, теплостойкость 200 гр.	ЭЛЕКТРОСОЕДИН
		2РМГД24Б10Ш5Е2		Вилка блочная 2РМГД24 без кожуха, 10 контактов, никель, теплостойкость 200 гр.	РОССИЯ
		2РМГД24Б10Ш5Е2		Вилка блочная 2РМГД24 без кожуха, 10 контактов, никель, теплостойкость 200 гр.	АТЛАНТ	4	3 262.14
		ES1D-E3/61T		Электронный компонент, SMA	GENERAL SEMICONDUCTOR
		ES1D-E3/61T		Электронный компонент, SMA	VISHAY	28	5.17
		ES1D-E3/61T		Электронный компонент, SMA	GENERAL SEMICONDUCTOR	112
		ES1D-E3/61T		Электронный компонент, SMA	Vishay/General Semiconductor
		ES1D-E3/61T		Электронный компонент, SMA
		ES1D-E3/61T		Электронный компонент, SMA	VISHAY	1 308
		IR2153PBF		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IR2153PBF		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	INFINEON	3 424	78.52
		IR2153PBF		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A		316	69.64
		К73-17 ИМП, 4700ПФ, 1000В, 5%, JFA03A472J (10.5X16X6.5, P:7ММ)			JB
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц		1 783	38.64
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	МИНСК	14 265	46.20
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ТРАНЗИСТОР
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ЗПП МИНСК
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ИНТЕГРАЛ	2 640	84.72
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	RUS
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	РОССИЯ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"