STW9N150

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
STW9N150	5	293.42
STW9N150	5	293.42
STW9N150 (ST MICROELECTRONICS SEMI.)	1 200	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики STW9N150

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	PowerMESH™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 Ohm @ 4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1500V (1.5kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	8A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	89.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3255pF @ 25V
Power - Max	320W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STW9N150 (MOSFET)

N-channel 1500 V - 1.8 ? - 8 A - TO-247 very high voltage PowerMESH™ Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STW9N150 datasheet
256.3 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2РМГД33Б32Ш5Е2Б			84	2 570.40
2РМГД33Б32Ш5Е2Б		РОССИЯ
B66397-G-X187, N87, ETD59 (1 ШТ.)		EPCOS
CR123ASL	Элемент питания литий - марганцевый, для небольших токов и длительной работы, 3В, ...	EEMB
CR123ASL	Элемент питания литий - марганцевый, для небольших токов и длительной работы, 3В, ...
IKW50N60H3FKSA1		INFINEON
IKW50N60H3FKSA1			132	227.76
К78-2, 0.056 МКФ, 1600 В, 10%		ПОЛИКОНД
К78-2, 0.056 МКФ, 1600 В, 10%