IRLML5203


P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)

Купить IRLML5203 по цене 2.31 руб.  (без НДС 20%)
IRLML5203 Структура: P-FET Макс. рабочее напряжение: 30...
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
IRLML5203 4 159 2.31 
IRLML5203 (HOTTECH) 76 719 2.24 
IRLML5203 (HUASHUO) 36 372 1.93 
IRLML5203 (YOUTAI) 60 185 2.00 
IRLML5203 (UMW) 13 600 3.10 
IRLML5203 (KUU) 5 890 1.85 
IRLML5203 (PLINGSEMIC) 27 247 2.02 
IRLML5203 (KEEN SIDE) 2 840 1.95 
IRLML5203TR (TRR) 1 967 5.51 
IRLML5203TR (VBSEMI) 1 563 3.22 
IRLML5203TRPBF (INTERNATIONAL RECTIFIER.) 136 3-4 недели
Цена по запросу
IRLML5203TRPBF (INFINEON) 32 333 19.65 
IRLML5203TRPBF 9 311 8.32 
IRLML5203TRPBF (KLS) 303 5.32 
IRLML5203TRPBF (TRR) 8 800 6.20 
IRLML5203TRPBF (TECH PUB) 120 7.05 

Структура: P-FET
Макс. рабочее напряжение: 30 В
Корпус: SOT-23-3
Максимальный ток: 3 А
Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 Вт
Версия для печати

Технические характеристики IRLML5203

FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
СерияHEXFET®
Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs98 mOhm @ 3A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C3A
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs14nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds510pF @ 25V
Power - Max1.25W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
КорпусMicro3™/SOT-23
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRLML5203

HEXFETand#174; Power MOSFET

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRLML5203 datasheet
139.62Kb
10стр.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс     Заказ радиодеталей 8.28 
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   PHILIPS 41 цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   KLS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   KEENSIDE Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   ASEMI Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   KEEN SIDE 21 250 1.80 
>100 шт.   0.90 
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   NXP 19 673 2.10 
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   GENERAL SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   NATIONAL SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   PANJIT 284 1.46 
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   DC COMPONENTS 12 612 1.29 
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   DIOTEC 1 324 1.20 
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   MCC Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   GALAXY 16 3.14 
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   FAIRCHILD 104 цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   NATIONAL SEMICONDUCTOR 1 920 цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   NXP 2 593 цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   PANJIT Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   PHILIPS 21 цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   Fairchild Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   INFINEON TECH Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   VISHAY Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)     33 598 1.32 
>100 шт.   0.66 
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   FSC Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   ONS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   ONS-FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   NEXPERIA Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   GALAXY ME Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   LRC Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   HOTTECH 5 381 1.50 
>100 шт.   0.75 
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   KLS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   SEMTECH Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   YANGJIE 36 000 1.18 
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   YJ 190 833 2.07 
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   YANGJIE (YJ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   JSCJ 60 643 1.94 
>100 шт.   0.97 
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   SUNTAN 15 798 1.22 
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   XXW 59 774 1.41 
>500 шт.   0.47 
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   KEEN SIDE 52 208 1.35 
>500 шт.   0.45 
IRLML2803 Транзистор полевой N-канальный MOSFET   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML2803 Транзистор полевой N-канальный MOSFET   VISHAY Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML2803 Транзистор полевой N-канальный MOSFET     Заказ радиодеталей 13.24 
IRLML2803 Транзистор полевой N-канальный MOSFET   ФИЛИППИНЫ Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML2803 Транзистор полевой N-канальный MOSFET   SHIKUES Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML2803 Транзистор полевой N-канальный MOSFET   HOTTECH 112 836 1.75 
IRLML2803 Транзистор полевой N-канальный MOSFET   KLS 1 152 4.80 
IRLML2803 Транзистор полевой N-канальный MOSFET   SUNTAN 55 745 3.36 
IRLML2803 Транзистор полевой N-канальный MOSFET   KEENSIDE 17 3.17 
IRLML2803 Транзистор полевой N-канальный MOSFET   KEEN SIDE 12 832 1.95 
    RC0805JR-072K7 Резистор SMD 0805 2.7кОм 0.125Вт 5%   SKYWELL TECHNOLOGY Заказ радиодеталей цена радиодетали
    RC0805JR-072K7 Резистор SMD 0805 2.7кОм 0.125Вт 5%   YAGEO Заказ радиодеталей цена радиодетали
    RC0805JR-072K7 Резистор SMD 0805 2.7кОм 0.125Вт 5%   SKYWELL TECHNOLOGY Заказ радиодеталей цена радиодетали
    RC0805JR-072K7 Резистор SMD 0805 2.7кОм 0.125Вт 5%   YAGEO Заказ радиодеталей цена радиодетали
SP0503BAHTG Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)   LTL Заказ радиодеталей цена радиодетали
SP0503BAHTG Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)   LITTELFUSE Заказ радиодеталей цена радиодетали
SP0503BAHTG Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)     Заказ радиодеталей 140.00 
SP0503BAHTG Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)   LITTELFUSE 1 цена радиодетали
SP0503BAHTG Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)   Littelfuse Inc Заказ радиодеталей цена радиодетали
SP0503BAHTG Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)   TECH PUB 2 452 4.24 
SP0503BAHTG Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)   MSKSEMI 1 478 3.76 
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход