|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
DC COMPONENTS
|
334 102
|
1.09
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
DIC
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
DIOTEC
|
10 042
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
|
50 354
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
UTC
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
TSC
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
YJ
|
146 955
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
HOTTECH
|
466 917
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
0.00
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
KLS
|
19 200
|
2.07
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
JSCJ
|
121 600
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
JINGDAO
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
MDD
|
174 344
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
JSMICRO
|
17 701
|
1.35
>500 шт. 0.45
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
XXW
|
12 672
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
BAT42 |
|
Диод Шоттки 30V 0,2A DO35
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAT42 |
|
Диод Шоттки 30V 0,2A DO35
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAT42 |
|
Диод Шоттки 30V 0,2A DO35
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BAT42 |
|
Диод Шоттки 30V 0,2A DO35
|
|
|
10.56
|
|
|
|
BAT42 |
|
Диод Шоттки 30V 0,2A DO35
|
SGS
|
|
|
|
|
|
BAT42 |
|
Диод Шоттки 30V 0,2A DO35
|
SGS THOMSON
|
210
|
|
|
|
|
BAT42 |
|
Диод Шоттки 30V 0,2A DO35
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
1 099
|
|
|
|
|
BAT42 |
|
Диод Шоттки 30V 0,2A DO35
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BAT42 |
|
Диод Шоттки 30V 0,2A DO35
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
20 284
|
2.02
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
8
|
2.10
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
CHIN
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
DIOTEC
|
2 404
|
1.83
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
3 046
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
2 130
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
DIODES INC
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
|
110 357
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY ME
|
646
|
1.09
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
55 096
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
LRC
|
1 920
|
2.07
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
KOME
|
10
|
1.64
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
SUNTAN
|
124 171
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
SEMTECH
|
36 637
|
2.86
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
YJ
|
327 753
|
1.22
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
RUME
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
TRR ELECTRONICS
|
334
|
1.26
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
NEXPERIA
|
38 436
|
1.29
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO
|
16
|
1.98
>100 шт. 0.99
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
XXW
|
46 641
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
BC868 |
|
Транзистор биполярный SMD 25В 60МГц 1A
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC868 |
|
Транзистор биполярный SMD 25В 60МГц 1A
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC868 |
|
Транзистор биполярный SMD 25В 60МГц 1A
|
|
|
26.12
|
|
|
|
BC868 |
|
Транзистор биполярный SMD 25В 60МГц 1A
|
PHILIPS
|
6 068
|
|
|
|
|
SF14 |
|
Ультрабыстрый диод аксиальный 200В,1A
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
SF14 |
|
Ультрабыстрый диод аксиальный 200В,1A
|
DC COMPONENTS
|
800
|
9.07
|
|
|
|
SF14 |
|
Ультрабыстрый диод аксиальный 200В,1A
|
|
412
|
10.08
|
|
|
|
SF14 |
|
Ультрабыстрый диод аксиальный 200В,1A
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SF14 |
|
Ультрабыстрый диод аксиальный 200В,1A
|
MIC
|
12 023
|
2.25
|
|
|
|
SF14 |
|
Ультрабыстрый диод аксиальный 200В,1A
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
SF14 |
|
Ультрабыстрый диод аксиальный 200В,1A
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
SF14 |
|
Ультрабыстрый диод аксиальный 200В,1A
|
TY
|
146
|
2.53
|
|
|
|
SF14 |
|
Ультрабыстрый диод аксиальный 200В,1A
|
KLS
|
|
|
|
|
|
SF14 |
|
Ультрабыстрый диод аксиальный 200В,1A
|
YANGJIE
|
3 200
|
1.95
|
|
|
|
SF14 |
|
Ультрабыстрый диод аксиальный 200В,1A
|
1
|
|
|
|
|
|
SF14 |
|
Ультрабыстрый диод аксиальный 200В,1A
|
YIXING
|
4 800
|
1.30
|
|