| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 800mV @ 5mA, 30mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 25mA, 20V |
| Power - Max | 250mW |
| Frequency - Transition | 60MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | TO-236AB |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
|
|
8.28
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
PHILIPS
|
41
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
KEENSIDE
|
1
|
1.32
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
|
BD436 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 32V, 4A, 36W
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
BD436 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 32V, 4A, 36W
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BD436 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 32V, 4A, 36W
|
|
|
37.24
|
|
|
|
|
BD436 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 32V, 4A, 36W
|
ON SEMICONDUCTOR
|
8 363
|
|
|
|
|
|
BD436 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 32V, 4A, 36W
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
BD436 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 32V, 4A, 36W
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
BD436 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 32V, 4A, 36W
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
L-32P3C |
|
Фототранзистор 3мм, Iтемн 100нА, 30В
|
KB
|
9 364
|
18.66
|
|
|
|
|
L-32P3C |
|
Фототранзистор 3мм, Iтемн 100нА, 30В
|
KINGBRIGHT
|
201
|
37.20
|
|
|
|
|
L-32P3C |
|
Фототранзистор 3мм, Iтемн 100нА, 30В
|
|
|
9.44
|
|
|
|
|
L-32P3C |
|
Фототранзистор 3мм, Iтемн 100нА, 30В
|
KGB
|
1 326
|
19.36
|
|
|
|
|
L-34F3C |
|
Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт
|
KB
|
11 132
|
15.75
|
|
|
|
|
L-34F3C |
|
Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт
|
KINGBRIGHT
|
299
|
4.30
|
|
|
|
|
L-34F3C |
|
Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт
|
|
|
9.52
|
|
|
|
|
L-34F3C |
|
Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт
|
KGB
|
24 278
|
14.25
|
|
|
|
|
L-34F3C |
|
Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
L-34F3C |
|
Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
L-34F3C |
|
Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
L-34F3C |
|
Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
|
MJD122T4 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 269
|
50.46
|
|
|
|
|
MJD122T4 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MJD122T4 |
|
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
MJD122T4 |
|
|
|
1 434
|
46.27
|
|
|
|
|
MJD122T4 |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
29
|
|
|
|
|
|
MJD122T4 |
|
|
STMicroelectronics
|
15 992
|
60.54
|
|
|
|
|
MJD122T4 |
|
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
MJD122T4 |
|
|
<>
|
|
|
|
Версия для печати
