Версия для печати
Технические характеристики BF821

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	300V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	800mV @ 5mA, 30mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	50 @ 25mA, 20V
Power - Max	250mW
Frequency - Transition	60MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	TO-236AB

BF821 Pnp High-voltage Transistors Производитель: Philips Semiconductors //www.semiconductors.philips.com BF821 datasheet 45.65Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		10BQ015TRPBF		SMD диод Шоттки Vrrm=15 В, Ifav=1A	VISHAY
		10BQ015TRPBF		SMD диод Шоттки Vrrm=15 В, Ifav=1A	INTERNATIONAL RECTIFIER
		10BQ015TRPBF		SMD диод Шоттки Vrrm=15 В, Ifav=1A			34.00
		10BQ015TRPBF		SMD диод Шоттки Vrrm=15 В, Ifav=1A	Vishay/Semiconductors
		10BQ015TRPBF		SMD диод Шоттки Vrrm=15 В, Ifav=1A	VISHAY
		10BQ015TRPBF		SMD диод Шоттки Vrrm=15 В, Ifav=1A	INTERNATIONAL RECTIFIER
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	FAIR
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	PHILIPS
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	NXP
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс			8.28
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	NXP
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	PHILIPS	41
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	KLS
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	KEENSIDE
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	ASEMI
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	KEEN SIDE	16 892	1.88  >100 шт.   0.94
		L-34F3C		Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт	KB
		L-34F3C		Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт	KINGBRIGHT	144	4.50
		L-34F3C		Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт			9.52
		L-34F3C		Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт	KGB	16 019	11.33
		L-34F3C		Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		L-34F3C		Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		L-34F3C		Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт	КИТАЙ
		L-34F3C		Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт	UNKNOWN
		MJD122T4			ST MICROELECTRONICS	9 880	33.76
		MJD122T4			ON SEMICONDUCTOR
		MJD122T4			MOTOROLA
		MJD122T4				1 394	47.04
		MJD122T4			ST MICROELECTRONICS SEMI	29
		MJD122T4			STMicroelectronics	15 992	62.53
		MJD122T4			ST MICROELECTRO
		MJD122T4			<>
		MMBTA06			FAIR
		MMBTA06			FAIRCHILD
		MMBTA06			FAIRCHILD	265
		MMBTA06			MCC
		MMBTA06				31 360	1.54
		MMBTA06			Fairchild Semiconductor
		MMBTA06			INFINEON	48
		MMBTA06			DIOTEC	1 956	7.67
		MMBTA06			PANJIT	28 444
		MMBTA06			LGE
		MMBTA06			YOUTAI	5 748	1.44
		MMBTA06			YJ	63 239	1.22
		MMBTA06			HOTTECH
		MMBTA06			JSCJ
		MMBTA06			KEEN SIDE	11 274	1.50
		MMBTA06			3390	1	1.54

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"