PMBT5551
Транзистор биполярный SMD NPN 140V, 0.6A, 0.225W
|
|
Версия для печати
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 300mA |
| Transistor Type | NPN |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Power - Max | 250mW |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | TO-236AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
PMBT5551 (Высоковольтные биполярные транзисторы) Npn High-voltage Transistor
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
2SC2712 |
|
Биполярный транзистор | TOSHIBA |
|
|
|
|
|
|
2SC2712 |
|
Биполярный транзистор | 12 000 |
1.04 >100 шт. 0.52 |
||
|
|
|
2SC2712 |
|
Биполярный транзистор | TOS |
|
|
|
|
|
|
2SC2712 |
|
Биполярный транзистор | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
2SC2712 |
|
Биполярный транзистор | HOTTECH | 33 642 | 1.05 | |
|
|
IRGB10B60KD | INTERNATIONAL RECTIFIER | 98 | 75.18 | ||||
|
|
IRGB10B60KD | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
||||
|
|
IRGB10B60KD |
|
|
|||||
| КТ368А-9 |
|
|
