IRGB10B60KD
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| IGBT Type | NPT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 10A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 22A |
| Power - Max | 156W |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRGB10B60KD Insulated Gate Bipolar Transistor With Ultrafast Soft Recovery Diode
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
2SC2712 |
|
Биполярный транзистор | TOSHIBA |
|
|
|
|
|
|
2SC2712 |
|
Биполярный транзистор | 12 000 |
1.14 >100 шт. 0.57 |
||
|
|
|
2SC2712 |
|
Биполярный транзистор | TOS |
|
|
|
|
|
|
2SC2712 |
|
Биполярный транзистор | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
2SC2712 |
|
Биполярный транзистор | HOTTECH | 17 242 |
1.29 >500 шт. 0.43 |
|
| L6385 | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| L6385 | ST MICROELECTRONICS SEMI | 9 |
|
|||||
| L6385 | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| L6385 |
|
|
||||||
| L6385 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 225 |
|
|||||
| MPSW42 | MOTOROLA |
|
|
|||||
| MPSW42 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MPSW42 |
|
122.40 | ||||||
| MPSW42 | MOTOROLA |
|
|
|||||
| MPSW42 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
 |
|
PMBT5551 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 140V, 0.6A, 0.225W | PHILIPS |
|
|
|
|
|
|
PMBT5551 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 140V, 0.6A, 0.225W | NXP |
|
|
|
|
|
|
PMBT5551 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 140V, 0.6A, 0.225W |
|
3.80 | ||
|
|
|
PMBT5551 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 140V, 0.6A, 0.225W | NXP | 172 |
|
|
|
|
|
PMBT5551 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 140V, 0.6A, 0.225W | PHILIPS | 204 |
|
|
|
|
|
PMBT5551 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 140V, 0.6A, 0.225W | PHILIPS SEMIC |
|
|
|
| КТ368А-9 |
|
|
