Версия для печати
Технические характеристики 2SC2712

Корпус	S-Mini (2.9x2.5)
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажа	Поверхностный
Frequency - Transition	80MHz
Power - Max	150mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 2mA, 6V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Current - Collector (Ic) (Max)	150mA
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

2SC2712 (Интегральные схемы) Transistor (audio Frequency General Purpose Amplfier Applications) Производитель: Toshiba Semiconductor //www.semicon.toshiba.co.jp 2SC2712 datasheet 211.7Kb 3стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SC2713			TOSHIBA
		2SC2713					42.00
		2SC2713			TOSHIBA

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N2222A		Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)	BEL
		2N2222A		Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)	CDIL	255	51.23
		2N2222A		Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)	ST MICROELECTRONICS
		2N2222A		Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)	CENTRAL SEMI
		2N2222A		Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)	DIOTEC
		2N2222A		Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)	CENTRAL SEMI
		2N2222A		Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		2N2222A		Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)	KI
		2N2222A		Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)	STMicroelectronics
		2N2222A		Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)	MOTOROLA
		2N2222A		Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)	SGS THOMSON
		2N2222A		Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)	SOLITRON DEVICES INC
		2N2222A		Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)	MICROSEMI CORP	5
		2N2222A		Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)		80	55.80
		2N2222A		Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)	BHARAT	80	76.52
		2N2222A		Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)	MULTICOMP
		2N2222A		Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)	KOME
		2N2222A		Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)	SEMTECH	16	2.18
		2N2222A		Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)	KLS
		2N2222A		Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)	HOTTECH	68	3.26
		2N2222A		Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)	MIC
		2N2222A		Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)	HXY	33	1.23
		2SC2655Y			TOSHIBA	40	26.55
		2SC2655Y				8	68.04
		2SC2655Y			TOSHIBA	64
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	VISHAY
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	ST MICROELECTRONICS
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт		226	98.28
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	Vishay/Siliconix
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	STMicroelectronics
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	DMS
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	SILICONIX	18
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	КИТАЙ
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	BLUEROCK
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	1
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	IR/VISHAY
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	FAIR
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	SAMSUNG
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz		10 000	1.78  >100 шт.   0.89
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	CJ	4 332	4.13
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	YJ
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	CHINA
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	HOTTECH	31 822	1.09
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	OMRON
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	YANGJIE
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	YANGJIE (YJ)
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	LGE
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	КИТАЙ
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	YOUTAI	6 670	2.14
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	SUNTAN
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	HXY	3 816	1.34  >100 шт.   0.67
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	KEEN SIDE	17 902	1.46  >100 шт.   0.73
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	640
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...		25 434	3.72
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	КРЕМНИЙ	880	11.71
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	СВЕТЛАНА
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	БРЯНСК
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	РИГА
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	НАЛЬЧИК
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	МИНСК
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	RUS
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	2076
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	26113
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	3429

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"