Версия для печати
Технические характеристики 2SC2712

Корпус	S-Mini (2.9x2.5)
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажа	Поверхностный
Frequency - Transition	80MHz
Power - Max	150mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 2mA, 6V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Current - Collector (Ic) (Max)	150mA
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

2SC2712 (Интегральные схемы) Transistor (audio Frequency General Purpose Amplfier Applications) Производитель: Toshiba Semiconductor //www.semicon.toshiba.co.jp 2SC2712 datasheet 211.7Kb 3стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SC2713			TOSHIBA
		2SC2713					42.00
		2SC2713			TOSHIBA

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SC2655Y			TOSHIBA	40	24.57
		2SC2655Y				8	68.04
		2SC2655Y			TOSHIBA	64
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	VISHAY
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	ST MICROELECTRONICS
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт		323	98.28
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	Vishay/Siliconix
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	STMicroelectronics
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	DMS
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	SILICONIX	18
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	КИТАЙ
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	BLUEROCK	252	30.76
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	1
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	FAIR
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	SAMSUNG
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz		18 640	1.08
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	CJ	4 633	4.13
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	YJ
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	CHINA
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	HOTTECH	52 344	1.02  >100 шт.   0.51
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	OMRON
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	YANGJIE
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	YANGJIE (YJ)
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	LGE
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	КИТАЙ
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	YOUTAI	17 336	1.28  >100 шт.   0.64
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	SUNTAN
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	HXY	6 048	1.86  >100 шт.   0.93
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...		1 113	5.55
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	КРЕМНИЙ	367	12.78
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	СВЕТЛАНА	21 050	4.20
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	БРЯНСК
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	РИГА	5 372	4.20
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	НАЛЬЧИК
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	МИНСК
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	RUS
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ3107Д		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p, ...		2 246	1.84  >100 шт.   0.92
		КТ3107Д		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p, ...	КРЕМНИЙ	800	9.07
		КТ3107Д		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p, ...	СВЕТЛАНА
		КТ3107Д		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p, ...	АЛЕКСАНДРОВ	2 913	4.20
		КТ3107Д		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p, ...	БРЯНСК	1 057	4.20
		КТ3107Д		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p, ...	НАЛЬЧИК
		КТ3107Д		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p, ...	ПРОХЛАДНЫЙ
		КТ3107Д		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p, ...	РИГА
		КТ3107Д		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p, ...	RUS
		КТ3107Д		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p, ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ3107Д		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p, ...	ЭЛЕКС

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"