Версия для печати
Технические характеристики 2SC2712

Корпус	S-Mini (2.9x2.5)
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажа	Поверхностный
Frequency - Transition	80MHz
Power - Max	150mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 2mA, 6V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Current - Collector (Ic) (Max)	150mA
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

2SC2712 (Интегральные схемы) Transistor (audio Frequency General Purpose Amplfier Applications) Производитель: Toshiba Semiconductor //www.semicon.toshiba.co.jp 2SC2712 datasheet 211.7Kb 3стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SC2713			TOSHIBA
		2SC2713					42.00
		2SC2713			TOSHIBA

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N5817 T/B		Диод Шоттки 20В, 1.0A	DC COMPONENTS	7 272	1.54
		1N5817 T/B		Диод Шоттки 20В, 1.0A
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz			90.40
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	ST MICROELECTRONICS
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	SOLID STATE DEVICES
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	CENTRAL SEMI
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	CENTRAL SEMI
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	ST MICROELECTRONICS SEMI	9
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	SIGNETICS
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	STMicroelectronics
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	Micro Commercial Co
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	ГЕРМАНИЯ
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	FSC
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	ONS
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	DIOTEC
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	КИТАЙ	176	10.50
		2SC1384R			MATSUSHITA	532	37.48
		2SC1384R					40.00
		SS9018		NPN 15V, 50mA, 0.4W, 1100MHz	SAMSUNG
		SS9018		NPN 15V, 50mA, 0.4W, 1100MHz			2.80
		SS9018		NPN 15V, 50mA, 0.4W, 1100MHz			2.80
		SS9018		NPN 15V, 50mA, 0.4W, 1100MHz	КИТАЙ	1	9.00
		КТ3107Е		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p		444	4.97
		КТ3107Е		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p	КРЕМНИЙ	1 332	10.93
		КТ3107Е		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p	СВЕТЛАНА
		КТ3107Е		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p	АЛЕКСАНДРОВ	3 876	4.20
		КТ3107Е		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p	БРЯНСК
		КТ3107Е		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p	НАЛЬЧИК
		КТ3107Е		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p	РИГА
		КТ3107Е		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p	МИНСК	1	4.20
		КТ3107Е		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p	ЭЛЕКС	800	10.15
		КТ3107Е		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p	RUS
		КТ3107Е		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p	ИНТЕГРАЛ
		КТ3107Е		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p	1
		КТ3107Е		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p	429
		КТ3107Е		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p	4417

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"