IRGB10B60KD

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRGB10B60KD (INTERNATIONAL RECTIFIER)	110	89.04

Версия для печати

Технические характеристики IRGB10B60KD

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type	NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.2V @ 15V, 10A
Current - Collector (Ic) (Max)	22A
Power - Max	156W
Тип входа	Standard
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRGB10B60KD

Insulated Gate Bipolar Transistor With Ultrafast Soft Recovery Diode

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRGB10B60KD datasheet
324.22Kb
15стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
L6385		ST MICROELECTRONICS
L6385		ST MICROELECTRONICS SEMI	9
L6385		STMicroelectronics
L6385
L6385		4-7 НЕДЕЛЬ	225
MJE802	Транзистор биполярный составной	ON SEMICONDUCTOR
MJE802	Транзистор биполярный составной	ST MICROELECTRONICS
MJE802	Транзистор биполярный составной			91.12
MJE802	Транзистор биполярный составной	ST MICROELECTRONICS SEMI
MJE802	Транзистор биполярный составной	STMicroelectronics
MPS4250		ON SEMICONDUCTOR
MPS4250		ON SEMICONDUCTOR
MPS4250
MPSW42		MOTOROLA
MPSW42		ON SEMICONDUCTOR
MPSW42				122.40
MPSW42		MOTOROLA
MPSW42		ON SEMICONDUCTOR
КТ368А-9