Корпус | S-Mini (2.9x2.5) |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Тип монтажа | Поверхностный |
Frequency - Transition | 80MHz |
Power - Max | 150mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
Transistor Type | NPN |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SD882 |
|
Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц
|
NEC
|
|
|
|
|
|
2SD882 |
|
Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц
|
DC COMPONENTS
|
7 831
|
9.50
|
|
|
|
2SD882 |
|
Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц
|
MATSUSHITA
|
|
|
|
|
|
2SD882 |
|
Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц
|
|
5 720
|
8.53
|
|
|
|
2SD882 |
|
Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2SD882 |
|
Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2SD882 |
|
Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2SD882 |
|
Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
IRF9520S |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET (100В, 6.8А)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF9520S |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET (100В, 6.8А)
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF9520S |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET (100В, 6.8А)
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
IRF9520S |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET (100В, 6.8А)
|
|
|
|
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz
|
|
12 909
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz
|
CJ
|
11
|
4.13
|
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz
|
YJ
|
|
|
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz
|
HOTTECH
|
3 200
|
1.76
>100 шт. 0.88
|
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz
|
JSMSEMI
|
35 827
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz
|
KEEN SIDE
|
25 280
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
SS9014C |
|
|
ПЛАНЕТА
|
|
|
|
|
|
SS9014C |
|
|
|
34 320
|
2.12
|
|
|
|
SS9014C |
|
|
Џ‹ЂЌ…’Ђ
|
|
|
|
|
|
SS9014C |
|
|
|
34 320
|
2.12
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
|
1 094
|
12.88
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
КРЕМНИЙ
|
537
|
10.96
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
БРЯНСК
|
5 444
|
2.23
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
62
|
5.14
|
|