Версия для печати
Технические характеристики 2SC2712

Корпус	S-Mini (2.9x2.5)
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажа	Поверхностный
Frequency - Transition	80MHz
Power - Max	150mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 2mA, 6V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Current - Collector (Ic) (Max)	150mA
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

2SC2712 (Интегральные схемы) Transistor (audio Frequency General Purpose Amplfier Applications) Производитель: Toshiba Semiconductor //www.semicon.toshiba.co.jp 2SC2712 datasheet 211.7Kb 3стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SC2713			TOSHIBA
		2SC2713					42.00
		2SC2713			TOSHIBA

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SC2655Y			TOSHIBA	40	26.55
		2SC2655Y				8	68.04
		2SC2655Y			TOSHIBA	64
		IRF9520S		Транзистор полевой P-канальный MOSFET (100В, 6.8А)	VISHAY
		IRF9520S		Транзистор полевой P-канальный MOSFET (100В, 6.8А)	Vishay/Siliconix
		IRF9520S		Транзистор полевой P-канальный MOSFET (100В, 6.8А)	VISHAY/IR
		IRF9520S		Транзистор полевой P-канальный MOSFET (100В, 6.8А)
		SS8050		Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	SAMSUNG
		SS8050		Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz		10 509	1.66  >100 шт.   0.83
		SS8050		Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	CJ
		SS8050		Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	YJ
		SS8050		Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	HOTTECH
		SS8050		Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	JSMSEMI	35 827	1.26  >500 шт.   0.42
		SS8050		Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	KEEN SIDE	24 480	1.46  >100 шт.   0.73
		SS8050		Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	3000	80	1.58  >100 шт.   0.79
		SS8050		Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	440	1	1.08
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	FAIR
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	SAMSUNG
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz		13 548	1.94  >100 шт.   0.97
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	CJ	1 932	4.13
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	YJ
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	CHINA
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	HOTTECH	20 444	1.47  >500 шт.   0.49
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	OMRON
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	YANGJIE
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	YANGJIE (YJ)
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	LGE
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	КИТАЙ
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	YOUTAI	7 149	1.10  >100 шт.   0.55
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	SUNTAN
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	HXY	4 080	1.36  >100 шт.   0.68
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	KEEN SIDE	21 902	1.46  >100 шт.   0.73
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	640	1	1.08
		КТ3107В		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p			4.60
		КТ3107В		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p	КРЕМНИЙ	80	11.71
		КТ3107В		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p	СВЕТЛАНА
		КТ3107В		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p	АЛЕКСАНДРОВ	3 644	4.24
		КТ3107В		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p	БРЯНСК	116	4.24
		КТ3107В		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p	МИНСК	8 707	4.24
		КТ3107В		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p	РИГА	240	4.24
		КТ3107В		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p	НАЛЬЧИК
		КТ3107В		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p	RUS
		КТ3107В		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p	ИНТЕГРАЛ
		КТ3107В		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p	ТРАНЗИСТОР
		КТ3107В		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p	10237
		КТ3107В		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p	146
		КТ3107В		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p	216
		КТ3107В		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p	431
		КТ3107В		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p	4666
		КТ3107В		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p	775	1	3.45

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"