| Корпус | S-Mini (2.9x2.5) |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Frequency - Transition | 80MHz |
| Power - Max | 150mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
| Transistor Type | NPN |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
2SC2655Y |
|
|
TOSHIBA
|
40
|
26.55
|
|
|
|
|
2SC2655Y |
|
|
|
8
|
68.04
|
|
|
|
|
2SC2655Y |
|
|
TOSHIBA
|
64
|
|
|
|
|
IRF9520S |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET (100В, 6.8А)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF9520S |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET (100В, 6.8А)
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF9520S |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET (100В, 6.8А)
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
IRF9520S |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET (100В, 6.8А)
|
|
|
|
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz
|
|
5 709
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz
|
CJ
|
352
|
1.22
>100 шт. 0.61
|
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz
|
YJ
|
|
|
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz
|
JSMSEMI
|
|
|
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz
|
KEEN SIDE
|
23 516
|
1.08
>100 шт. 0.54
|
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz
|
3000
|
|
|
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz
|
440
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
|
10 400
|
1.78
>100 шт. 0.89
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
CJ
|
4 844
|
4.13
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
YJ
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
HOTTECH
|
13 592
|
1.05
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
OMRON
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
LGE
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
YOUTAI
|
7 009
|
1.40
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
HXY
|
3 816
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
KEEN SIDE
|
19 742
|
1.08
>100 шт. 0.54
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
640
|
|
|
|
|
|
КТ3107В |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
|
|
4.60
|
|
|
|
КТ3107В |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
КРЕМНИЙ
|
751
|
13.27
|
|
|
|
КТ3107В |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
КТ3107В |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
3 564
|
4.24
|
|
|
|
КТ3107В |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
БРЯНСК
|
116
|
4.24
|
|
|
|
КТ3107В |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
МИНСК
|
8 707
|
4.24
|
|
|
|
КТ3107В |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
РИГА
|
240
|
4.24
|
|
|
|
КТ3107В |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ3107В |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3107В |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ3107В |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
ТРАНЗИСТОР
|
620
|
2.20
|
|
|
|
КТ3107В |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
10237
|
|
|
|
|
|
КТ3107В |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
146
|
|
|
|
|
|
КТ3107В |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
216
|
|
|
|
|
|
КТ3107В |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
431
|
|
|
|
|
|
КТ3107В |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
4666
|
|
|
|
|
|
КТ3107В |
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p
|
775
|
|
|
|