|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
DC COMPONENTS
|
21 549
|
6.30
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
RECTRON
|
|
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
SMK
|
|
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
DIODES INC.
|
|
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
64
|
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
557
|
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
RECTRON
|
68
|
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
SEMTECH
|
349
|
11.37
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
YJ
|
2 092
|
6.28
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
---
|
|
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
|
3 009
|
4.98
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
GOOD-ARK
|
888
|
9.45
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
MASTER INSTRUMENT
|
8
|
9.45
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
WUXI XUYANG
|
413
|
12.64
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
YANGJIE
|
1 800
|
6.80
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
MIG
|
|
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
TRR
|
|
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
1
|
|
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
SUNMATE
|
633
|
8.51
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
DC COMPONENTS
|
17 868
|
7.64
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
763
|
17.56
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
TAITRON COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
SMK
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
MSHVN
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
DIODES INC.
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
TAITRON COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
ELZET
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
КИТАЙ
|
800
|
9.45
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
YJ
|
20 933
|
5.18
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
MIC
|
5 893
|
5.77
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
|
688
|
4.08
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
---
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
DIOTEC
|
527
|
9.67
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
MASTER INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
SHENZHEN
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
LGE
|
17 596
|
8.91
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
SUNTAN
|
17 482
|
10.03
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
KLS
|
5
|
7.72
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
YANGJIE
|
18 600
|
5.66
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
PETPREN
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
ASEMI
|
2 872
|
10.23
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
1
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
LINGJIE
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SPRAGUE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DC COMPONENTS
|
4 736
|
5.11
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DIOTEC
|
11 752
|
4.07
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
КИТАЙ
|
952
|
3.10
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE SEMIC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
МИНСК
|
2 052
|
4.20
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
|
4 800
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
HOTTECH
|
74 633
|
0.65
>1000 шт. 0.13
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
LGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CHINA
|
22 400
|
1.02
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ZH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CJ
|
4 604
|
1.75
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
PMBT5551 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 140V, 0.6A, 0.225W
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
PMBT5551 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 140V, 0.6A, 0.225W
|
NXP
|
|
|
|
|
|
PMBT5551 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 140V, 0.6A, 0.225W
|
|
|
3.80
|
|
|
|
PMBT5551 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 140V, 0.6A, 0.225W
|
NXP
|
172
|
|
|
|
|
PMBT5551 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 140V, 0.6A, 0.225W
|
PHILIPS
|
204
|
|
|
|
|
PMBT5551 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 140V, 0.6A, 0.225W
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
КТ368А-9 |
|
|
|
|
|
|