Версия для печати
Технические характеристики BD436

Корпус	SOT-32-3
Корпус (размер)	TO-126-3
Тип монтажа	Выводной
Power - Max	36W
Frequency - Transition	3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	40 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max)	100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	32V
Current - Collector (Ic) (Max)	4A
Transistor Type	PNP
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

BD43x COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS Также в этом файле: BD436 Производитель: STMicroelectronics //www.st.com BD436 datasheet 73.06Kb 4стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		КТ816А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		2 005	27.75
		КТ816А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	480	32.79
		КТ816А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
		КТ816А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	3 665	38.16
		КТ816А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
		КТ816А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ816А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	1415
		КТ816А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	20
		КТ816А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	3147

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BAT42		Диод Шоттки 30V 0,2A DO35	NXP
		BAT42		Диод Шоттки 30V 0,2A DO35	ST MICROELECTRONICS
		BAT42		Диод Шоттки 30V 0,2A DO35	DC COMPONENTS
		BAT42		Диод Шоттки 30V 0,2A DO35			10.56
		BAT42		Диод Шоттки 30V 0,2A DO35	SGS
		BAT42		Диод Шоттки 30V 0,2A DO35	SGS THOMSON	210
		BAT42		Диод Шоттки 30V 0,2A DO35	ST MICROELECTRONICS SEMI	1 099
		BAT42		Диод Шоттки 30V 0,2A DO35	STMicroelectronics
		BAT42		Диод Шоттки 30V 0,2A DO35	ST MICROELECTRO
		IRFD110		Транзистор полевой	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFD110		Транзистор полевой	VISHAY
		IRFD110		Транзистор полевой			42.56
		IRFD110		Транзистор полевой	Vishay/Siliconix
		IRFD110		Транзистор полевой	ФИЛИППИНЫ
		IRFD110		Транзистор полевой	SILICONIX	28
		RLB0914-471KL		Индуктивность 470μH 0,5A 8,7x12mm	BOURNS
		RLB0914-471KL		Индуктивность 470μH 0,5A 8,7x12mm			75.36
		RLB0914-471KL		Индуктивность 470μH 0,5A 8,7x12mm	ВОURNS
		SDR0604-101KL		Индуктивность 100мкГн SMD 5,8x4,8mm	BOURNS	4 720	17.56
		SDR0604-101KL		Индуктивность 100мкГн SMD 5,8x4,8mm			60.00
		SDR0604-101KL		Индуктивность 100мкГн SMD 5,8x4,8mm	ВОURNS
		TLC272ID		2xOP CMOS 3.16V LP LN	TEXAS INSTRUMENTS
		TLC272ID		2xOP CMOS 3.16V LP LN			54.56
		TLC272ID		2xOP CMOS 3.16V LP LN	TEXAS INSTRUMENTS	8
		TLC272ID		2xOP CMOS 3.16V LP LN	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		TLC272ID		2xOP CMOS 3.16V LP LN	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		TLC272ID		2xOP CMOS 3.16V LP LN	TEXAS
		TLC272ID		2xOP CMOS 3.16V LP LN	4-7 НЕДЕЛЬ	678

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"