Версия для печати
Технические характеристики BD436

Корпус	SOT-32-3
Корпус (размер)	TO-126-3
Тип монтажа	Выводной
Power - Max	36W
Frequency - Transition	3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	40 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max)	100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	32V
Current - Collector (Ic) (Max)	4A
Transistor Type	PNP
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

BD43x COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS Также в этом файле: BD436 Производитель: STMicroelectronics //www.st.com BD436 datasheet 73.06Kb 4стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		КТ816А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		2 005	27.75
		КТ816А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	480	32.79
		КТ816А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
		КТ816А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	3 665	38.16
		КТ816А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
		КТ816А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ816А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	1415
		КТ816А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	20
		КТ816А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	3147

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N6039 TO-126
		2N6039G			ONS
		2N6039G			ON Semiconductor
		2N6039G
		2N6039G			ONSEMICONDUCTOR
		2SB772		Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...	NEC
		2SB772		Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...	ST MICROELECTRONICS
		2SB772		Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...	UNISONIC TECHNOLOGIES
		2SB772		Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...	UTC
		2SB772		Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...		40	25.20
		2SB772		Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		2SB772		Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...	UNISONIC TECHNOLOGIES CO, LTD
		2SB772		Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...	STMicroelectronics
		2SB772		Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...	КИТАЙ
		2SB772		Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...	ISC
		2SB772		Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...	UNISONIC
		2SB772		Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...	ISCSEMI
		2SB772		Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...	MSKSEMI	2 757	3.04
		2SB772		Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...	BLUEROCK	36	10.37
		AOZ1031AI			Alpha & Omega Semiconductor Inc
		AOZ1031AI
		AOZ1031AI			A&O
		AOZ1031AI
		AOZ1031AI			4-7 НЕДЕЛЬ	480
		MJD50T4G			ONS
		MJD50T4G			ON Semiconductor	1 996	42.40
		MJD50T4G
		MJD50T4G			ON SEMICONDUCTOR	157
		MJD50T4G			2495

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"