| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
HFA16PB120 |
|
Диод 1200V, 16A, 30nS (HEXFRED)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
HFA16PB120 |
|
Диод 1200V, 16A, 30nS (HEXFRED)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
HFA16PB120 |
|
Диод 1200V, 16A, 30nS (HEXFRED)
|
|
|
331.40
|
|
|
|
HFA16PB120 |
|
Диод 1200V, 16A, 30nS (HEXFRED)
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
IRG4PF50W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRG4PF50W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz
|
|
|
377.52
|
|
|
|
IRG4PF50W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRG4PF50W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRG4PF50WD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRG4PF50WD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz)
|
|
|
468.40
|
|
|
|
IRG4PF50WD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz)
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRG4PF50WD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
TEA1532AP/N1.112 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
К553УД2 |
|
Операционный усилитель средней точности Uсм=7.5 мВ, Iвх= 1.5 мкА
|
|
3 916
|
30.24
|
|
|
|
К553УД2 |
|
Операционный усилитель средней точности Uсм=7.5 мВ, Iвх= 1.5 мкА
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
К553УД2 |
|
Операционный усилитель средней точности Uсм=7.5 мВ, Iвх= 1.5 мкА
|
АЛЬФА РИГА
|
|
|
|
|
|
К553УД2 |
|
Операционный усилитель средней точности Uсм=7.5 мВ, Iвх= 1.5 мкА
|
ГРАВИТОН
|
|
|
|
|
|
К553УД2 |
|
Операционный усилитель средней точности Uсм=7.5 мВ, Iвх= 1.5 мкА
|
RUS
|
|
|
|