BZX84C5V6-V-GS18
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC846BT | PHILIPS |
|
|
||||
|
|
BC846BT | NXP |
|
|
||||
|
|
BC846BT |
|
|
|||||
|
|
BC846BT | NXP | 9 |
|
||||
|
|
BC846BT |
|
|
|||||
|
|
BC846BT | NEX-NXP |
|
|
||||
| BC856BWSOT323 | NXP |
|
|
|||||
| BC856BWSOT323 | NEXPERIA |
|
|
|||||
| BC856BWSOT323 | 0.00 |
|
|
|||||
| CDRH6D28NP-101NC | SUMIDA | 45 619 | 22.73 | |||||
| CDRH6D28NP-101NC |
|
61.20 | ||||||
| CDRH6D28NP-101NC | SUMIDA AMERICA COMPONENTS INC |
|
|
|||||
 |
CM453232-101KL |
|
ЧИП-индуктивность 100 мкГн1812 |
|
72.00 | |||
|
|
CM453232-101KL |
|
ЧИП-индуктивность 100 мкГн1812 | BOURNS | 18 | 17.44 | ||
|
|
CM453232-101KL |
|
ЧИП-индуктивность 100 мкГн1812 | ВОURNS |
|
|
||
 |
|
FDN5630 |
|
60v n-channel powertrench mosfet | FAIR |
|
|
|
|
|
|
FDN5630 |
|
60v n-channel powertrench mosfet | 4 560 | 5.87 | ||
|
|
|
FDN5630 |
|
60v n-channel powertrench mosfet | FAIRCHILD |
|
|
|
|
|
|
FDN5630 |
|
60v n-channel powertrench mosfet | FAIRCHILD | 1 568 |
|
|
|
|
|
FDN5630 |
|
60v n-channel powertrench mosfet | Fairchild Semiconductor |
|
|
|
|
|
|
FDN5630 |
|
60v n-channel powertrench mosfet | FSC |
|
|
|
|
|
|
FDN5630 |
|
60v n-channel powertrench mosfet | ONS |
|
|
|
|
|
|
FDN5630 |
|
60v n-channel powertrench mosfet | ONS-FAIR |
|
|
|
|
|
|
FDN5630 |
|
60v n-channel powertrench mosfet | UMW-YOUTAI |
|
|
|
|
|
|
FDN5630 |
|
60v n-channel powertrench mosfet | YOUTAI | 10 397 | 9.78 |
