Версия для печати
Технические характеристики IRFL110TRPBF

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.5A
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	540 mOhm @ 900mA, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	8.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	180pF @ 25V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	SOT-223

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		MMBT3906LT1G		Транзистор GP SS PNP 40V	ON SEMICONDUCTOR
		MMBT3906LT1G		Транзистор GP SS PNP 40V	WILLAS ELECTRONIC
		MMBT3906LT1G		Транзистор GP SS PNP 40V	FAIR
		MMBT3906LT1G		Транзистор GP SS PNP 40V	ONS	22 361	2.61
		MMBT3906LT1G		Транзистор GP SS PNP 40V			4.20
		MMBT3906LT1G		Транзистор GP SS PNP 40V	ON SEMICONDUCTOR	2 036
		MMBT3906LT1G		Транзистор GP SS PNP 40V	ON SEMIC
		MMBT3906LT1G		Транзистор GP SS PNP 40V	ON SEMICONDUCTO
		MMBT3906LT1G		Транзистор GP SS PNP 40V	ONS-FAIR
		MMBT3906LT1G		Транзистор GP SS PNP 40V	SEMTECH	16	1.54
		MMBT3906LT1G		Транзистор GP SS PNP 40V	ONSEMI	282	6.33
		MMBTA06LT1G		Транзистор	ON SEMICONDUCTOR
		MMBTA06LT1G		Транзистор	ONS	16 917	4.65
		MMBTA06LT1G		Транзистор	ON SEMICONDUCTOR	2 988
		MMBTA06LT1G		Транзистор		16
		MMBTA06LT1G		Транзистор	ON SEMICONDUCTO
		MMBTA06LT1G		Транзистор	ONSEMICONDUCTOR
		MMBTA42LT1G		Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.	ON SEMICONDUCTOR
		MMBTA42LT1G		Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.	ONS	35 308	4.21
		MMBTA42LT1G		Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.	ON SEMICONDUCTOR	160
		MMBTA42LT1G		Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.	ON SEMICONDUCTO
		MMBTA42LT1G		Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.	ONSEMICONDUCTOR
		MMBTA42LT1G		Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.		47 136	2.33
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	12	2.23
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ONS	29 116	4.86
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)			7.20
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	1 003
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	GALAXY
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTO
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	0.00
		T491X107K025AT			Kemet	11 779	138.30
		T491X107K025AT
		T491X107K025AT			KEM
		T491X107K025AT			KEMET
		T491X107K025AT			KEMET/YAGEO

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"