| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 Ohm @ 200mA, 5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 200mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V |
| Power - Max | 225mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Product Change Notification | Possible Adhesion Issue 11/July/2008 Wire Change for SOT23 Pkg 26/May |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
0805 3.3 КОМ 5% (CRCWBC3K30TK200) |
|
|
VISHAY
|
3 825
|
0.95
>1000 шт. 0.19
|
|
 |
 |
10MQ040N |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
10MQ040N |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
10MQ040N |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
10MQ040N |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C
|
|
|
18.80
|
|
|
|
|
10MQ040N |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
10MQ040N |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
|
10MQ040N |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
10MQ040N |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
10MQ040N |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C
|
LGE
|
|
|
|
|
|
|
10MQ040N |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C
|
LUGUANG
|
3 964
|
14.93
|
|
|
|
|
10MQ040N |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C
|
SMCMICRO
|
|
|
|
|
|
|
10MQ040N |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C
|
SUNMATE
|
52 972
|
2.31
|
|
|
|
|
10MQ040N |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C
|
SMC DIODE SOLUTIONS
|
|
|
|
|
|
|
BC847BLT1G |
|
Транзистор n-p-n UNI 50В 0.1A рулон 3k S
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BC847BLT1G |
|
Транзистор n-p-n UNI 50В 0.1A рулон 3k S
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
BC847BLT1G |
|
Транзистор n-p-n UNI 50В 0.1A рулон 3k S
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 428
|
|
|
|
|
|
BC847BLT1G |
|
Транзистор n-p-n UNI 50В 0.1A рулон 3k S
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
BC847BLT1G |
|
Транзистор n-p-n UNI 50В 0.1A рулон 3k S
|
|
|
|
|
|
|
|
BC847BLT1G |
|
Транзистор n-p-n UNI 50В 0.1A рулон 3k S
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BC847BLT1G |
|
Транзистор n-p-n UNI 50В 0.1A рулон 3k S
|
LRC
|
|
|
|
|
|
|
BC847BLT1G |
|
Транзистор n-p-n UNI 50В 0.1A рулон 3k S
|
ONSEMI
|
|
|
|
|
|
|
DB-25M CONNFLY |
|
|
|
40
|
18.79
|
|
|
|
|
DB-25M CONNFLY |
|
|
|
40
|
18.79
|
|
|
|
|
MC74HC125ADG |
|
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
MC74HC125ADG |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MC74HC125ADG |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
308
|
|
|
|
|
|
MC74HC125ADG |
|
|
|
|
|
|
Версия для печати
