Версия для печати
Технические характеристики BSS138LT1G

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5 Ohm @ 200mA, 5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	200mA
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	50pF @ 25V
Power - Max	225mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3
Product Change Notification	Possible Adhesion Issue 11/July/2008 Wire Change for SOT23 Pkg 26/May

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BAS16XV2T1G			ON SEMICONDUCTOR	304	16.19
		BAS16XV2T1G			ON SEMICONDUCTOR	540
		BAS16XV2T1G			ONS	14 402	4.94
		BAS16XV2T1G			ONSEMICONDUCTOR
		BAS16XV2T1G
		BC817-25		Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400		74 800	1.86  >100 шт.   0.93
		BC817-25		Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC817-25		Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400	PHILIPS
		BC817-25		Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400	DC COMPONENTS	8 990	1.49
		BC817-25		Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400	NXP	778	1.68
		BC817-25		Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400	DIOTEC	27 123	3.79
		BC817-25		Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400	UTC
		BC817-25		Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400	GALAXY
		BC817-25		Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC817-25		Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400	NXP	6 511
		BC817-25		Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400	PHILIPS
		BC817-25		Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400	MCC
		BC817-25		Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400	КИТАЙ
		BC817-25		Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400	INFINEON TECH
		BC817-25		Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400	PHILIPS SEMIC
		BC817-25		Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400	ONS
		BC817-25		Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400	DIODES INCORPORATED
		BC817-25		Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400	GALAXY ME
		BC817-25		Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400	HOTTECH	175 576	1.02
		BC817-25		Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400	MULTICOMP
		BC817-25		Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400	LRC
		BC817-25		Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400	KLS
		BC817-25		Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400	YJ	152 987	1.43
		BC817-25		Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400	OLITECH	487	1.85
		BC817-25		Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400	KINGTRONICS
		BC817-25		Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400	ZH	52 800	1.36  >100 шт.   0.68
		BC817-25		Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400	YANGJIE (YJ)
		BC817-25		Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400	ASEMI
		BC817-25		Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400	TRR
		BC817-25		Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400	YIXING	91 200	1.36  >100 шт.   0.68
		BC817-25		Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400	SUNTAN	220	1.06
		BC817-25		Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400	YANGZHOU YANGJIE	7 962	3.05
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NXP	2 904	2.10
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	DC COMPONENTS	8 037	2.23
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ON SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	DIOTEC	35 083	3.87
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ES
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIRCHILD
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GALAXY
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIRCHILD
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NXP
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS	486
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	STMicroelectronics
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS SEMIC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	КИТАЙ
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	INFINEON TECH
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ON SEMIC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GALAXY ME
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	HOTTECH	596 351	1.66  >100 шт.   0.83
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...		45 325	1.52  >100 шт.   0.76
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	LRC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KLS
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KOME	1	1.64
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	SUNTAN	4 711	1.66  >100 шт.   0.83
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YANGJIE (YJ)
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NEX-NXP	112	3.10
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YJ	127 661	2.07
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	TRR	67 200	1.26  >500 шт.   0.42
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	XXW	181 795	1.36  >100 шт.   0.68
		DB-25F CONNFLY				188	25.00
		SN74LVC125APW			Texas Instruments
		SN74LVC125APW			TEXAS INSTRUMENTS	203
		SN74LVC125APW			TEXAS
		SN74LVC125APW				2	27.75

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"