BSS138LT1G
|
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 Ohm @ 200mA, 5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 200mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V |
| Power - Max | 225mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Product Change Notification | Possible Adhesion Issue 11/July/2008 Wire Change for SOT23 Pkg 26/May |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0.1UF 250V 10% CL21 |
|
|
||||||
| 0.1UF 250V 10% CL21 | RUICHI |
|
|
|||||
| 2EDGK-5.0-03P-14-00A(H) |
|
|
||||||
| 2EDGK-5.0-03P-14-00A(H) | DEGSON ELECTRONICS |
|
|
|||||
 |
 |
BAT54A TP |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C) | MCC |
|
|
|
| M24C01-WBN6P |
|
ИМС EEPROM I2C | ST MICROELECTRONICS | 640 | 6.26 | |||
| M24C01-WBN6P |
|
ИМС EEPROM I2C | STMicroelectronics |
|
|
|||
| M24C01-WBN6P |
|
ИМС EEPROM I2C | КИТАЙ |
|
|
|||
| M24C01-WBN6P |
|
ИМС EEPROM I2C |
|
|
||||
| M24C01-WBN6P |
|
ИМС EEPROM I2C | 4-7 НЕДЕЛЬ | 244 |
|
|||
 |
|
STN1NK60Z |
|
Транзистор МОП N-канальный 600V 0.8A IPAK | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
STN1NK60Z |
|
Транзистор МОП N-канальный 600V 0.8A IPAK |
|
72.00 | ||
|
|
|
STN1NK60Z |
|
Транзистор МОП N-канальный 600V 0.8A IPAK | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
STN1NK60Z |
|
Транзистор МОП N-канальный 600V 0.8A IPAK | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|
|
|
|
STN1NK60Z |
|
Транзистор МОП N-канальный 600V 0.8A IPAK | ST MICROELECTRO |
|
|
