BSS138LT1G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
BSS138LT1G (ON SEMICONDUCTOR.)	553	3-4 недели Цена по запросу
BSS138LT1G (ONS)	3 963	11.37
BSS138LT1G	19 600	3.72
BSS138LT1G (JSMICRO)	6 243	1.54 >100 шт. 0.77

Версия для печати

Технические характеристики BSS138LT1G

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5 Ohm @ 200mA, 5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	200mA
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	50pF @ 25V
Power - Max	225mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3
Product Change Notification	Possible Adhesion Issue 11/July/2008 Wire Change for SOT23 Pkg 26/May

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
AD7822BRU		ANALOG DEVICES
AD7822BRU		ANALOG DEVICES
AD7822BRU		Analog Devices Inc
AD7822BRU
AD7822BRU		4-7 НЕДЕЛЬ	781
BAS21HT1G		ONS
BAS21HT1G		ON SEMICONDUCTOR
BAS21HT1G		ON SEMICONDUCTOR	17 284
BAS21HT1G
BAS21HT1G		LRC
BAS21HT1G		FUXIN	39 024	1.78 >100 шт. 0.89
BSH201	P-channel enhancement mode mos transistor	NXP
BSH201	P-channel enhancement mode mos transistor	PHILIPS
BSH201	P-channel enhancement mode mos transistor			18.00
BSH201	P-channel enhancement mode mos transistor	NXP
BSH201	P-channel enhancement mode mos transistor	PHILIPS	40
BSH201	P-channel enhancement mode mos transistor	JSMICRO	5 376	4.10
DB-9F CONNFLY
DB-9F CONNFLY
SN74LVC125ADR		TEXAS INSTRUMENTS
SN74LVC125ADR		TEXAS INSTRUMENTS	64
SN74LVC125ADR
SN74LVC125ADR		TEXAS
SN74LVC125ADR		4-7 НЕДЕЛЬ	421
SN74LVC125ADR		72	1	27.24