L-119EGW RG

Версия для печати

Технические характеристики L-119EGW RG

Производитель	KINGBRIGHT
Количество в упаковке	500 шт.
Вес	0.273 г
Количество Кристалов	2
Длина волны 1-го кристала	627 нм
Яркость 1-го кристала	20 мКд
Длина волны 2-го кристала	565 нм
Яркость 2-го кристала	12 мКд
Тип линзы	White diffused
Угол по горизонтали	110
Схема включения	CC
Корпус	PIN_RECT
Размер	2.0x5.0x7.0 мм
	Rectangular

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2N7002LT1G	Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ON SEMICONDUCTOR	134 240	2.10
2N7002LT1G	Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)			4.00
2N7002LT1G	Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ONS
2N7002LT1G	Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ON SEMICONDUCTOR	2 533
2N7002LT1G	Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ON SEMIC
2N7002LT1G	Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ON SEMICONDUCTO
2N7002LT1G	Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ONSEMICONDUCTOR
2N7002LT1G	Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ONS-FAIR
2N7002LT1G	Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	LRC
2N7002LT1G	Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	VBSEMI	3 493	2.82
2N7002LT1G	Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ONSEMI	128	2.57
2N7002LT1G	Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	167800
BL-BEG201 RG		BRIGHTLED
BL-BEG201 RG				12.00
BL-BEG201 RG		BRI
BL-BEG201 RG		BRIGHT-ON
QT100A-ISG		ATMEL
QT100A-ISG				245.20
SI2301BDS-T1-E3	P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R	VISHAY
SI2301BDS-T1-E3	P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R	SILICONIX
SI2301BDS-T1-E3	P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R			40.80
SI2301BDS-T1-E3	P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R	SILICONIX	2 087
SI2301BDS-T1-E3	P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R	VISHAY	1 588
SI2301BDS-T1-E3	P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R	Vishay/Siliconix
SI2302ADS-T1-E3	N-Ch 20V 2,4A 0,57W 0,06R	VISHAY
SI2302ADS-T1-E3	N-Ch 20V 2,4A 0,57W 0,06R	SILICONIX
SI2302ADS-T1-E3	N-Ch 20V 2,4A 0,57W 0,06R			40.40
SI2302ADS-T1-E3	N-Ch 20V 2,4A 0,57W 0,06R	SILICONIX
SI2302ADS-T1-E3	N-Ch 20V 2,4A 0,57W 0,06R	VISHAY
SI2302ADS-T1-E3	N-Ch 20V 2,4A 0,57W 0,06R	Vishay/Siliconix