Версия для печати
Технические характеристики 2N7002LT1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	115mA
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	50pF @ 25V
Power - Max	225mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3
Product Change Notification	Possible Adhesion Issue 11/July/2008 Wire Change for SOT23 Pkg 26/May

2N7002L (N-канальные транзисторные модули) Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N-Channel Также в этом файле: 2N7002LT1G Производитель: ON Semiconductor //www.onsemi.com 2N7002LT1G datasheet 62.21Kb 4стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP	4 255	1.68
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIR
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DC COMPONENTS	12 820	2.13
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DIOTEC	204	1.50
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIRCHILD
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GALAXY
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIRCHILD
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NATIONAL SEMICONDUCTOR	185
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PANJIT
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ST MICROELECTRONICS
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	SEMTECH
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)		15 565	1.52  >100 шт.   0.76
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP	1 100
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DIODES INCORPORATED
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONS
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONSEMICONDUCTOR
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GALAXY ME	3 327	1.38
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LRC
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	HOTTECH	677 151	1.72  >100 шт.   0.86
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	KLS
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	SUNTAN
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YJ	710 523	1.29
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YANGJIE (YJ)
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	CJ	2 644	1.52  >100 шт.   0.76
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	JSCJ	58 770	1.76  >100 шт.   0.88
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YANGJIE	7 200	1.02
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	JINGDAO	166 895	1.42  >100 шт.   0.71
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	TWGMC
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	MDD
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PLINGSEMIC	192 000	1.54  >100 шт.   0.77
		BCP53-16		Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250		32 086	5.52
		BCP53-16		Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250	NXP
		BCP53-16		Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250	PHILIPS
		BCP53-16		Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250	NXP
		BCP53-16		Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250	PHILIPS
		BCP53-16		Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250	ONS
		BCP53-16		Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250	МАЛАЙЗИЯ
		BCP53-16		Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250	КИТАЙ
		BCP53-16		Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250	INFINEON TECH
		BCP53-16		Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250	ST MICROELECTRONICS
		BCP53-16		Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250	INFINEON
		BCP53-16		Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250	NEXPERIA
		BCP53-16		Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250	ST1
		BCP53-16		Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250	STMICROELECTRONICS
		BCP53-16		Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250	HOTTECH	143 573	6.03
		BCP53-16		Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250	LGE
		BCP53-16		Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250	OLITECH
		BCP53-16		Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250	KLS
		BCP53-16		Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250	SUNTAN
		BCP53-16		Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250	TRR	29 600	4.01
		BCP53-16		Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250	JSCJ	38 785	5.23
		CWF-6R (B)
		CWF-6R (B)			CONNFLY
		TPS62110RSAT				3
		TPS62110RSAT			TEXAS INSTRUMENTS
		TPS62110RSAT			TEXAS INSTRUMENTS
		TPS62110RSAT			TEXAS
		TPS62110RSAT			4-7 НЕДЕЛЬ	100
		TSML1000			Vishay/Semiconductors
		TSML1000			VISHAY	1 145	32.45
		TSML1000
		TSML1000			4-7 НЕДЕЛЬ	683

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"