| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
134 240
|
2.12
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
|
|
4.00
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ONS
|
1
|
2.13
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
2 533
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
VBSEMI
|
2 940
|
2.72
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ONSEMI
|
128
|
1.82
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
167800
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
161
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
NXP
|
1 773
|
2.01
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
CHENMKO ENTERPRISE
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
PHILIPS
|
532
|
5.47
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
DC COMPONENTS
|
54 540
|
1.24
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
DIOTEC
|
6 843
|
2.64
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
LI-SION TECHNOLOGY
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
|
559
|
7.40
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
CHENMKO ENTERPRISE CO, LTD
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
FAIRCHILD
|
4 762
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
1 848
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
NXP
|
3 192
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
OTHER
|
4 841
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
HOTTECH
|
31 010
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
KOME
|
2
|
2.67
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
SUNTAN
|
1
|
1.44
>100 шт. 0.72
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 298
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
SEMTECH
|
1
|
2.17
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
WUXI XUYANG
|
549
|
1.01
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
YJ
|
376 641
|
1.03
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
CJ
|
796
|
1.48
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
1
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
JSCJ
|
92 968
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
JINGDAO
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
JSMICRO
|
209 225
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
KEEN SIDE
|
65 717
|
1.12
>100 шт. 0.56
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
2237
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
680
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
2217
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
RUME
|
115 200
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
TRR
|
232 800
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
|
25 990
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
NXP
|
4 800
|
2.12
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
DC COMPONENTS
|
1 283
|
1.53
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
FAIRCHILD
|
8 158
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
NXP SEMIC
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
HOTTECH
|
49 475
|
1.06
>100 шт. 0.53
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
YJ
|
132 096
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
PHILIPS
|
1 486
|
2.12
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
JSCJ
|
106 240
|
1.18
>100 шт. 0.59
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
MXP
|
2 400
|
2.12
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
1858
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
3000
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
XXW
|
21 120
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
190
|
|
|
|
|
|
|
QT100A-ISG |
|
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
|
QT100A-ISG |
|
|
|
|
245.20
|
|
|
|
|
SI2301BDS-T1-E3 |
|
P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R
|
VISHAY
|
2 290
|
18.56
|
|
|
|
|
SI2301BDS-T1-E3 |
|
P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
|
SI2301BDS-T1-E3 |
|
P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R
|
|
|
40.80
|
|
|
|
|
SI2301BDS-T1-E3 |
|
P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R
|
SILICONIX
|
2 087
|
|
|
|
|
|
SI2301BDS-T1-E3 |
|
P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R
|
VISHAY
|
1 588
|
|
|
|
|
|
SI2301BDS-T1-E3 |
|
P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|