| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
134 240
|
1.86
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
|
|
4.00
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ONS
|
114
|
4.91
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
2 533
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
VBSEMI
|
92
|
6.32
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ONSEMI
|
128
|
1.55
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
167800
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
161
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
NXP
|
1 773
|
1.71
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
CHENMKO ENTERPRISE
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
PHILIPS
|
532
|
5.47
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
DC COMPONENTS
|
64 906
|
3.01
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
DIOTEC
|
4 463
|
3.25
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
LI-SION TECHNOLOGY
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
|
559
|
7.44
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
CHENMKO ENTERPRISE CO, LTD
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
FAIRCHILD
|
4 762
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
1 848
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
NXP
|
3 192
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
OTHER
|
4 841
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
HOTTECH
|
120 632
|
1.50
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
KOME
|
2
|
3.11
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
SUNTAN
|
1
|
1.66
>100 шт. 0.83
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 298
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
SEMTECH
|
1
|
2.52
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
WUXI XUYANG
|
584
|
1.17
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
YJ
|
608 688
|
2.53
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
CJ
|
796
|
1.30
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
1
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
JSCJ
|
2 902
|
4.51
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
JINGDAO
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
JSMICRO
|
86 024
|
1.21
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
KEEN SIDE
|
5
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
2237
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
680
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
2217
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
RUME
|
115 200
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
TRR
|
184 800
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
|
25 990
|
1.82
>100 шт. 0.91
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
NXP
|
4 800
|
1.86
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
FAIRCHILD
|
8 158
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
NXP SEMIC
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
HOTTECH
|
30 752
|
1.49
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
YJ
|
111 475
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
PHILIPS
|
1 406
|
1.86
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
JSCJ
|
93 164
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
SUNTAN
|
12 200
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
MXP
|
2 400
|
1.86
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
1858
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
3000
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
XXW
|
28 536
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
190
|
|
|
|
|
|
|
QT100A-ISG |
|
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
|
QT100A-ISG |
|
|
|
|
245.20
|
|
|
|
|
SI2301BDS-T1-E3 |
|
P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R
|
VISHAY
|
2 280
|
39.31
|
|
|
|
|
SI2301BDS-T1-E3 |
|
P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
|
SI2301BDS-T1-E3 |
|
P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R
|
|
|
40.80
|
|
|
|
|
SI2301BDS-T1-E3 |
|
P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R
|
SILICONIX
|
2 087
|
|
|
|
|
|
SI2301BDS-T1-E3 |
|
P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R
|
VISHAY
|
1 588
|
|
|
|
|
|
SI2301BDS-T1-E3 |
|
P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|