|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAT54C,215 |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
NXP Semiconductors
|
|
|
|
|
|
BAT54C,215 |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BAT54C,215 |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAT54C,215 |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
NEX
|
|
|
|
|
|
BAT54C,215 |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAT54C,215 |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
NCP1529ASNT1G |
|
Регулируемый понижающий СН
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NCP1529ASNT1G |
|
Регулируемый понижающий СН
|
|
|
152.00
|
|
|
|
NCP1529ASNT1G |
|
Регулируемый понижающий СН
|
ONS
|
|
|
|
|
|
NCP1529ASNT1G |
|
Регулируемый понижающий СН
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
NCP1529ASNT1G |
|
Регулируемый понижающий СН
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
200
|
|
|
|
|
RLB0914-221KL |
|
Индуктивность 220μH 0,7A 8,7x12mm
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
RLB0914-221KL |
|
Индуктивность 220μH 0,7A 8,7x12mm
|
|
|
54.00
|
|
|
|
RLB0914-331KL |
|
Индуктивность 330μH 0,6A 8,7x12mm
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
RLB0914-331KL |
|
Индуктивность 330μH 0,6A 8,7x12mm
|
|
|
65.60
|
|
|
|
SI2301BDS-T1-E3 |
|
P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
SI2301BDS-T1-E3 |
|
P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
SI2301BDS-T1-E3 |
|
P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R
|
|
|
40.80
|
|
|
|
SI2301BDS-T1-E3 |
|
P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R
|
SILICONIX
|
2 087
|
|
|
|
|
SI2301BDS-T1-E3 |
|
P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R
|
VISHAY
|
1 588
|
|
|
|
|
SI2301BDS-T1-E3 |
|
P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|